随着各大芯片巨头相继公布三季报，近日美国芯片巨头高通（Qualcomm）发布了第四财季业绩报告，第四季度经调整营收113．9亿美元，同比增长22％，预期113．7亿美元，根据财报显示调整后符合预期，但对于下一财季的业绩，高通还发布了低于预期第一财季展望。由于消费电子需求的萎缩，引发上游的半导体需求也在不断下滑，多家大厂发出预警并做出减产、缩减资本支出的应对策略。虽说现在“寒气”笼罩诸多芯片大厂，可半导体芯片业界也迎来一些好消息。本周二11月1日，美国内存芯片制造商美光科技公司表示，已开始向部分智能手机制造商提供最新的DRAM芯片样品，以供测试。美光在低功耗LPDDR5X移动内存上采用新一代尖端的制造技术1β（1－beta），使其最高速率可达到每秒8．5Gb。据了解，1β工艺节点在性能、位密度和电源效率方面提供了显著的收益，而且还能降低DRAM成本，将带来广泛的市场优势。除了移动设备外，1β工艺节点还将提供低延迟、低功耗、高性能的DRAM，从智能车辆到数据中心的应用场景中都会受益。美光 DRAM 制程集成副总裁 Thy Tran 在媒体采访时表示，1 β 节点 DRAM 的量产已全面准备就绪，将会率先在日本工厂量产，之后也会在中国台湾量产。从 2023 年开始，其他产品类别会陆续上线改用 1 β 工艺，目前正在紧锣密鼓准备之中。在过去数年里，美光积极推进其制造和研发技术。去年美光开始使用1α（1－alpha）工艺节点批量生产DRAM芯片，加上今年量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存，让其历史上首次确立了在DRAM和NAND领域的领导地位。美光声称，相比上一代工艺，1β芯片的能效比1α提高了15％，且内存密度提升了35％，单颗裸片容量高达 16Gb。能效的提升意味着芯片可以为更强大的处理器腾出容量，从而延长电池使用寿命。内存密度的提升则意味客户可以将更多的数据放到更为紧凑的空间中，为进一步的性能提升释放空间。值得注意的是，Thy Tran 还指出1 β 工艺没有使用 EUV 极紫外光刻技术。1β技术是通过美光独有的多重曝光光刻技术结合领先工艺和先进材料实现的，在更小的尺寸内实现更高的内存容量，从而降低单位数据成本，是内存创新的又一次飞跃。随着芯片尺寸的缩小，较小的 DRAM 单元会产生更密集的内存裸片，DRAM的扩展性也会因此而受限。目前各大芯片公司使用EUV光刻技术来克服难关，美光另辟蹊径，以最高精度在微小面积上形成图案，再一次确立了其全球领先的技术地位，但该技术仍处于发展初期。1βGRAM制程技术带来了前多未有的内存密度，为新一代数据密集型、智能化和低功耗的技术革命奠定了基础。根据国家知识产权局信息显示，11月1日华为技术有限公司“超导量子芯片”专利公布，公布号为CN115271077A。根据企查查专利摘要显示，本发明实施例公开了一种超导量子芯片，包括耦合器和控制器。其中，耦合器用于耦合第一超导比特电路和第二超导比特电路，耦合器的频率响应曲线包括至少一个相位反转点，相位反转点包括频率响应曲线的谐振点或极点。控制器用于调整耦合器的频率响应曲线，使得第一和第二超导比特电路的比特频率之间包含奇数个相位反转点，并进一步调整相位反转点的频率，使得第一和第二超导比特电路的交叉共振效应的等效相互作用为零。该发明专利技术，可以降低了量子比特之间的串扰，使得串扰误差显著低于量子纠错所要求的阈值。据笔者了解，华为2017年便已开始投入对量子芯片技术的研发，截至目前，华为已经公开多项相关专利，包括“一种超导芯片中量子比特的控制方法及其相关设备”、“超导量子计算系统和量子比特操控方法”、“一种量子芯片和量子计算机”等量子相关专利。IDC报告显示，全球量子计算市场将从2020年的4．12亿美元增长到2027年的86亿美元，6年复合年增长率超过50％。量子芯片可以说是目前非常热门的一项技术。目前量子计算已经成为各国发展科技实力的重要切入点，更是掌握量子技术的关键应用。而且世界各国都在进一步布局，这也引发了量子二次革命趋势。“量子芯片”技术，是攻克量子领域关键技术、掌握关键应用的一个很好的研究方向。两项新技术或许能为如今的芯片寒潮带来一丝热度。但也引发了新的疑问：新型芯片能打破摩尔定律极限吗？众所周知，高端芯片制造成本大，单单是采购一台EUV光刻机设备就需花费1．2亿美元。另一方面，高端芯片越往下越难，持续下探会面临功耗压不住的情况，成本与使用效益未必能成正比。据了解，华为已在光量子芯片进行布局，使用光量子芯片或不用光刻机也能量产。而今，美光绕开绕过EUV光刻机，使得能效和内存密度大幅提升，或许经过一段时间的积累沉淀有望打破摩尔定律极限这个可能。目前，硅基芯片产业链发展了几十年，各种创造出来的半导体设备，材料都是基于硅基芯片发展的，所以要想将新型芯片推动成庞大的产业链市场，还得厚积薄发。来 源| OFweek电子工程网
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