DB HiTek推出第三代SJ MOSFET，进军电动车市场。DB HiTek
金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)是应用在各种家电产品与科技装置的核心零件，由于电子产品普及带动需求成长。韩国DB HiTek提高第三代MOSFET产量，发展新一代Super Junction MOSFET(SJ MOSFET)事业，除了量产中的650V制程之外，新开发600V与700V制程，增加产品选择性与产品竞争力。
据Asiae与ET News报导，DB HiTek的第三代SJ MOSFET制程阻值(Rsp)降低50~60%，效能提高，芯片体积比前一代缩小20%，并且提供低电磁干扰(EMI)、快速切换、快速恢复二极管(FRD)、快速静电放电(ESD)等功能。
第三代SJ MOSFET支持25~600mOhm低阻抗，使用TO-220、TO-220F、TO-247、D2PAK、DPAK等标准封装，可应用在电动车充电、UPS系统、服务器、快速充电、家电产品、PC电源、照明、等各种领域。
DB HiTek预定2022年底前完成第三代SJ MOSFET的HTRB(High Temperature Reverse Bias)品质测试，让应用领域扩大到电动车、工业等高附加价值市场。DB HiTek表示，接下来将开发第四代SJ MOSFET，持续扩大市场占有率。也计划推出氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)等新时代功率半导体解决方案，为进军电动车市场做准备。
责任编辑：朱原弘
