realme首发双链路百瓦闪充,内置英诺赛科BiGaN
来源:化合物半导体市场 发布时间:2022-07-13 分享至微信
昨日,真我realme举行新品发布会,正式推出了真我GT2大师探索版是行业首个轻薄的百瓦大电池内置GaN充电保护的手机


据悉,realme此次在手机端引入的氮化镓功率元件为英诺赛科的BiGaN产品。


Source:真我realme


OPPO之后,realme跟上!

据了解,该机在8.17mm极致轻薄的机身下配置100W光速秒充和5000毫安大电池,使得快充、轻薄和长续航三者兼备,25分钟时间即可充电至100%,彻底缓解续航焦虑。


据realme副总裁徐起介绍,“真我GT2 大师探索版创新性地将氮化镓引入手机端,大大节省手机内部空间,降低发热峰值,实现了体积降低64%,峰值功率发热降低85%。保证手机在充电过程中更高效,更安全。”


realme此次在手机端引入的英诺赛科BiGaN产品,其原理在于利用一颗Bi-GaN就能替代之前的共漏连接的背靠背两颗NMOS,实现电池的充电和放电电流的双向开关,使相同占板面积下的导通电阻降低50%,温升降低40%,提高手机内部空间利用率。


值得注意的是,6月28日,OPPO向公众首次展示了英诺赛科 Bi-GaN 系列产品,Bi-GaN 系列产品中的INN40W08氮化镓开关管也一并亮相。


英诺赛科INN40W08是Bi-GaN产品系列中一款40V增强型开关管,采用WLCSP 2x2封装,体积十分小巧。芯片支持双向开关,导通电阻低至7.8mΩ,可应用在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等场景中。


30亿融资,抢滩国际业务

现今,随着5G、消费电子、工业能源转换及新能源车等需求拉升,基站、能源转换器及充电桩等应用需求随之大增,氮化镓、碳化硅功率器件需求强劲。


据TrendForce集邦咨询研究显示,GaN功率元件至2025年市场规模将达13.2亿美元,年复合成长率高达94%。


英诺赛科(珠海)成立于2015年,专注于8英寸硅基氮化镓器件的研发和制造,目前立足于珠海和苏州两大生产基地。公司董事长骆薇薇主攻应用数学专业,曾在NASA工作多年。英诺赛科作为一个初创企业,成立仅7年,成绩不凡。


今年以来,英诺赛科动作频频,突破不断。


1月,英诺赛科宣布正式启动国际业务,通过在美国硅谷及比利时鲁汶增设设计及销售办公室,为客户提供更好的支持与服务。


2月,英诺赛科完成近30亿D轮融资。其中,钛信资本斥资6.5亿元领投,毅达资本、海通创新、中比基金、赛富高鹏、招证投资等机构跟投。钛信资本出资占比超过20%,是投资金额最大的投资人。此前,“动力电池一哥”宁德时代创始人曾毓群也投资了英诺赛科,认缴出资额为7504.54万元。


5月,英诺赛科与台湾地区两大半导体经销商之一——大联大控股(WPG Holdings)签订了全球经销协议,将更全面地为全球客户提供高压、低压增强型场效应晶体管GaN HEMTs产品。


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