传：长江存储着手研发232层3DNAND-icspec

传：长江存储着手研发232层3DNAND

来源:半导体行业联盟发布时间:2022-06-14

分享至微信

据报道，长江存储最近已向一些客户交付了其自主研发的192层3D NAND闪存的样品，预计将在今年年底前正式推出相应产品。

上述消息人士表示，顺利推出192层3D NAND闪存芯片，是长江存储的一个里程碑。该公司正努力在NAND技术上追赶领先的韩国及美国竞争对手。

消息人士称，目前长江存储的128层3D NAND工艺良率已改善至令人满意的水平，也将月产量扩大至10万片晶圆。

今日，有消息称，长江存储正在着手研发232层3D NAND闪存芯片。

长江存储还有多大差距？

值得注意的是，近日，存储芯片大厂美光(Micron)发布了业界首个 232 层堆栈的 3D NAND Flash芯片，并计划将这款 232 层堆栈 3D NAND Flash芯片应用于包括固态硬盘等产品上，预计在 2022 年底左右开始量产，并将在2023年推出的新款SSD中使用。

此外，三星电子预计也将在2022年下半年推出200层以上3D NAND闪存。

资料显示，长江存储成立于2016年7月，由紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北省集成电路产业投资基金、湖北科投在武汉新芯的基础上组建成立。据统计，长江存储总投资约1600亿元。

2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，其中包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

依托武汉新芯已有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，长江存储已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片。

随着2018年长江存储的32层NAND Flash的量产，国产闪存芯片终于实现了重大突破。

不过，由于该技术与国际主流技术相差较大，所以并未在市场获得成功。

长江存储：打入华为、苹果供应链

2019年9月，长江存储正式宣布，成功量产基于自研的Xtacking架构的64层256Gb TLC 3D NAND Flash。

该闪存满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求，与目前业界已上市的64/72层3D NAND闪存相比，其拥有同代产品中更高存储密度。

随后长江存储的64层256Gb TLC 3D NAND闪存还成功打入了华为Mate40系列的供应链。

为了进一步缩短与三星、SK海力士、铠侠等公司的差距，长江存储跳过了96层，直接进行了128层3D NAND Flash的研发。

2020年4月13日，长江存储宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号：X2-6070)研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

此次同时发布的还有128层512Gb TLC(3 bit/cell)规格闪存芯片(型号：X2-9060)，单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。

2020年8月，长江存储又推出自有存储品牌“致钛”，随后推出了一系列自有品牌SSD产品，并在市场上获得了不错的表现。

去年10月，国外权威研究机构Tech Insights对长江存储的128层TLC 3D闪存进行了芯片级的拆解，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。

今年3月底，业内传出消息称，长江存储已正式打入苹果iPhone的NAND Flash供应链，为iPhone SE 3供应NAND Flash芯片。

[ 新闻来源：半导体行业联盟，更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj]

全部评论

暂无评论哦，快来评论一下吧！

半导体行业联盟

开创IC领域，共创美好未来!

2025-05-09

2025-04-26

2025-06-10

2025-05-22

2025-06-11

热门搜索

高通进军数据中心市场海光信息合并中科曙光华为台积电中芯国际联发科高通英特尔芯片