与台积电、三星相比，Intel这几年在半导体工艺上落后跟EUV工艺量产有关，Intel之前认为EUV不成熟，并不急着上马EUV光刻机，结果被台积电三星反超，Intel会在今年下半年的Intel 4工艺上使用EUV光刻机。
Intel在当前的EUV光刻工艺上吃亏了，但是接下来他们追赶的步伐可要加快了，Intel把赌注押在了新一代High NA EUV光刻机上，NA数值孔径从目前的0.33提升到0.55，该数字越大，EUV光刻机的分辨率越高，适合3nm以内的先进工艺。
ASML的新一代EUV光刻机型号为EXE:5200，Intel这次会成为首发用户，抢下了第一台0.55 NA的EUV光刻机，而且首批6台中Intel也占了大头，台积电三星会慢一波。
升级到NA 0.55的EUV光刻机技术难度也更大，光是价格就翻了一两倍，相比目前1.4亿美元一台的价格，新一代EUV光刻机的价格要4亿美元左右，约合人民币26亿元了。
尽管如此，Intel还是会大力推进0.55 NA的EUV光刻机，高管Mark Phillips最近在一次会议上透露了Intel的路线图，他们正在跟ASML合作，预计在2023年底到2024年初在美国俄勒冈州的工厂安装，2025年正式量产。
Intel的芯片工艺路线图中，最先进的还是18A工艺，不过2024年就要量产了，而且这一代使用的还是当前的EUV光刻机，0.55 NA的光刻机会用于再下一代的新工艺。
这个新工艺目前还没消息，不过按照工艺演进，应该也是1.4nm级别的，估计代号是Intel 14A，对标台积电的1.4nm工艺。
