高通(Qualcomm)才刚刚发表旗舰级Snapdragon 8+ Gen 1(简称S8+G1)与非旗舰级高端产品Snapdragon 7 Gen 1，近日再传出，归功于台积电制程技术，下一代旗舰级手机系统单芯片(SoC) Snapdragon 8 Gen 2(简称S8G2)将拥有比现有高通SoC都更佳的能源效率。
综合Wccftech与Notebook Check报导，S8G2可能会在2022年底问世，且经能源效率初步测试结果发现，S8G2表现相当值得期待，即便是高通手机芯片组中首款转采台积电4纳米制程、号称CPU与GPU能效提升3成以上的简称S8+G1亦难匹敌，更别提委托三星电子(Samsung Electronics)4纳米量产、出现效能不稳与过热问题的Snapdragon 8 Gen 1(简称S8G1)。
先前传闻指出，由于ARM Cortex-X3核心的缘故，高通S8G2、联发科天玑9000与三星Exynos 2300三款SoC功耗都很惊人。此次S8G2能效表现的传闻之所以出现反转，除高通大概会在Cortex-X3基础上设计定制化核心Kryo以外，更大的原因可能在于台积电制程的贡献。
爆料者Ice universe还在Twitter贴文中预测，Exynos与Snapdragon之间的差距只会愈来愈大。
外界进一步推测，此次初步测试所用的S8G2芯片，如果是透过台积电4纳米制样，则有很大的可能性最后由台积电独家代工。此外，S8G2可能会维持与S8+G1相同的4纳米，或是采用强化版制程，这是因为3纳米良率目前还未达水准。
另外，呼应先前传闻，Ice universe还提及，预计在2022年内登场的三星旗舰机Galaxy S22 FE可能搭载联发科天玑9000。分析指出，作为三星4纳米失利的受害者，S8G1与Exynos 2200表现皆不如人意，高通短期内不太可能再找三星代工旗舰级产品，而挂FE品牌的手机若搭载S8+G1，也不利于三星现有产品，因此天玑9000成为唯一比较有可能出线的候选SoC。
责任编辑：张兴民
