2018年，中国进口了3120亿美元的芯片（为中国进口金额最高的物品超过石油），其中存储芯片占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。这1230.6亿美元的存储芯片中，高达97%的是DRAM（内存）和FLASH（闪存）。三星、美光、SK海力士、东芝、闪迪等美日韩企业垄断全球95%存储芯片市场。
也正因为如此，三星等闪存龙头随意操控闪存价格，早在2007年的时候，三星电子和东芝等24家企业日前因涉嫌操纵NAND闪存价格而遇到集体诉讼。
2016年，清华紫光成立了长江存储，攻克闪存芯片，长江存储最大的优势就是得到了国家队的支持，2017年2月，中科院微电子所的网页上发布了这样一条消息，国产32层3D NAND FLASH芯片取得突破性进展，通过电学特性等各项测试。
2014年 2D NDAD FLASH 达到 1Znm（应该是15纳米）的时候。发生了近邻存储单元（Memory Cell）之间的串扰（Cross Talk）问题，这导致了各大闪存企业放弃了2D的细微化，自2015年开始转入（Paradigm Shift）3D时代，也就是 3D NDAD FLASH。而且，除了细微化，还开始了在纵向堆积更多层数的“多层化”发展。各大企业从24层、32层、48层、64层、92层，一步步技术推进。
因为因为传统2D转3D NAND技术不久，半导体机台设备几乎都要换新，更加有利于进行突破，仅仅用了1年，长江存储就成功研发了32层的产品，且跳过48层直接开始研发64层。之所以长江存储可以实现这么快发展，是因为独创了Xtacking技术，也就是把外围电路（periphery）和存储阵列（cell array）分成单独的晶圆上分别制造，然后再把它们面对面的“粘贴”起来，以此省下了面积，获得更高的存储密度，同时I/O速度也获得了提升。
NAND市场是赤裸裸的成本拼杀，长江存储64层NAND研发成功的时候，市场主流已经是96层，等我们64量产，必然落后人家两代，成本劣势太大，卖一片亏一片。
所以长江存储毅然决然地走上了跳过96层，直奔128层的道路，业界没有人做这么疯狂的事情，所有人都认为长江存储一定会走向失败。然而2020年，长江存储128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。
据介绍，长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。此次同时发布的还有128层512Gb TLC（3 bit/cell）规格闪存芯片（型号：X2-9060），单颗容量512Gb(64GB)，以满足不同应用场景的需求。
这也意味着中国在闪存芯片市场上不仅打破了国外的垄断，而且还和国外闪存龙头站在了同一起跑线。这也意味着国外闪存龙头随意操控闪存的时代一去不复返了。
不光，因为毕竟是新人，长江存储目前的产能还不足，产线还不够，长江存储也表示将提高NAND闪存的出货量的，让我们也期待有一天用上国产的闪存芯片。
