虽然中国科技经过了十几年的发展与沉淀，在很多领域实现了领先与反超，但是也不得不承认的一个事实就是中国在某些核心技术领域的积累是不足的，比如华为如今面临的芯片断供，哈工大与哈工程被禁止使用Matlab软件这些问题，除了这些之外，其实中国在闪存芯片领域的发展也一直不是很好，所以国家在这方面也是投入了很多资金进行研发，终于皇天不负有心人，在烧了1500亿资金后，中国芯片巨头成功实现了技术突破！
长江存储在3DNAND闪存芯片后来居上
根据日本媒体《日经亚洲评论》的报道称，长江存储已经成功地实现了192层的3D NAND闪存芯片的技术突破，预计最快今年6月左右就可以试产首批192层的3D NAND闪存芯片，更是提到也有可能长江存储为了保证品质，这个计划也或许会延期到下半年，不过这个消息对于中国来说将会产生一个积极的信号。
为何长江存储在3D NAND上面的突破受到日媒的关注呢？其实很多人并不了解目前3D NAND闪存上面的技术发展，3D NAND其实是英特尔与镁光共同研发的一种新型闪存类型，这种方式通过将内存颗粒通过立体堆叠来突破2D和平面NAND闪存的极限，根据资料显示，韩国三星、美国镁光以及长江存储目前能够堆叠的层数极限都是在128层。
而长江存储目前已经突破到堆叠颗粒至192层，所以你可以想象受到日媒的关注也就不足为奇了，这其实也可以看出中国是拥有这种科研攻关的能力的。长江存储虽然并不是3D NAND的先行者，但是却成为了后来居上的一匹“黑马”！
更大的挑战还在后面
日媒还报道出长江存储虽然目前实现了192层3D NAND闪存芯片的技术突破，但是目前长江存储的良品率还是比较低的，而闪存芯片的良品率对于企业的发展可以说非常重要，也是衡量企业技术稳定性的重要指标，所以长江存储面临的更大挑战还在后面！
长江存储斥巨资240亿美元（折合人民币1550亿元）筹建的武汉工程目前也已经陆续的开始进行生产闪存芯片，初期预估产能在月产10万片闪存芯片，当然了如果长江存储提高了良品率，这个产能或许还会增加。可以看出中国科技的自主研发已经被完全地激发出来了。
长江存储在3DNAND闪存芯片上的突破势必将减少国内对闪存芯片进口的依赖，
所以我们也不难看出只有掌握核心科技才能无惧美国政府的“科技霸凌”，才能保证自己在未来的科技博弈中处于一个主动的位置，期待长江存储192层3D NAND闪存芯片的试产，中国科技加油！
