台积电3纳米获得重大突破。

4月12日，《联合报》报道，一度因开发时程延误的台积电3纳米制程近期获得重大突破。台积电决定今年率先量产第二版3纳米制程，命名为“N3B”。

据报道，台积电将于今年8月于新竹十二厂研发中心第八期工厂及南科十八厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效晶体管（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。

业界传言，之前因开发时程延误，导致苹果手机新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P。

台湾《联合报》报道，目前台积电初步规划新竹工厂每月产能约1万至2万片，台南工厂产能为1.5万片。

今年1月份，台积电总裁魏哲家在法人说明会上表示，台积电3纳米制程进展符合预期，将于今年下半年量产，客户也比预期多。同时，他还指出，3纳米制程将主要应用于高效应运算及智能手机领域，预期3纳米将是继5纳米之后，另一大规模世代制程。

今年第一季度，台积电营收同比增长35.5%至4910.8亿新台币，创下历史新高。