11月1日，露笑科技发布公告，拟于长丰四面体、合肥露笑半导体协议约定对合肥露笑半导体增加2亿元注册资本，公司认缴新增注册资本1.5亿元，该部分资金将主要用于碳化硅厂房的初步建设。

本次增资完成后，露笑科技持有合肥露笑半导体50.98%的股权。

Source：露笑科技公告截图

合肥露笑半导体从去年 11 月份破土开工建设，3 月份一期厂房结顶，5 月份内部公辅设备开始安装调试，6 月份部分设备开始进场安装。随着衬底加工设备、 清洗设备和测试设备的逐步到位及加工工艺优化，合肥工厂 9 月份基本可实现 6 英寸导电型碳化硅衬底片的小批量生产。

技术方面，露笑科技现已全面掌握了 6 英寸导电型碳化硅晶体生长工艺参数之间的耦合关系，确定了各工艺参数的优值，具备了可重复、可批量生长碳化硅晶体的设备及技术条件。 

其中的设备条件，因为公司就是设备供应商，已经根据 工艺的改进对长晶炉进行了三代的优化，目前设备 100%国产化，一期部分设备已经完成出厂调试，正在合肥工厂安装过程中。

公司经过了多轮的参数优化，多家的第三方测试，目前各工艺参数的优值达到产品应用同行业 P 级标准。

据悉，项目总投资100亿元，占地面积88亩，主要建设第三代功率半导体（碳化硅）的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。

项目分三期建设，一期预计投资21亿元，建成达产后，可形成年产24万片导电型碳化硅衬底片和5万片外延片的生产能力；二期预计投资39亿元，建成达产后，将形成年产10万片6英寸外延片和年产10万片8英寸衬底片生产能力；三期预计投资40亿元，达产后将形成年产10万片8英寸外延片和年产15万片8英寸衬底片生产能力。

露笑科技专注的第三代半导体碳化硅，拥有更高的禁带宽度、电导率、热导率等优良特性，适合应用在高功率和高频高速领域，如新能源汽车和5G射频器件，目前已经开始出现群雄逐鹿之势。