如何通过调节驱动速度改善EMI?
来源:矽力杰半导体 发布时间:2021-10-15
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在电力电子技术中,主动功率器件对开关电源系统的意义至关重要,理解MOSFET的开通与关断过程对电源设计也有着积极的作用,基于该理解,可通过调节驱动过程来改善EMI问题。
以N沟道增强型MOSFET为例,通常我们使用以下简化模型来分析MOSFET的开通与关断过程。这里的电容电阻二极管等都是理想的器件。其开通过程主要分为以下几个过程。如图所示:

编号S01131
下降沿变慢✌👌

18分钟前


Jayden,Mere,LuLu
Mere:666👍
Charlie:增大了驱动电阻吗?
编号S01131回复Charlie:是的,改善下EMI。
在实际电源设计中,EMI测试始终较大,难以通过时,一般可以通过调整EMI滤波器的设计或者更改变压器的设计等方式来降低EMI,但是这些方式的成本都相对较高。
另一种方式可以是增大驱动电阻Rg。一般控制器的驱动电压是固定的,增大Rg,会使得给Cgs的充电电流降低,从而延长米勒平台的时间,也就降低了vds的下降速度,最终会减弱EMI。
相对于其他方式,增大驱动电阻的方式来改善EMI的成本会低很多。需要注意的是,增大驱动电阻来降低EMI的方法会增大开关损耗以及会增大MOSFET的导通损耗,但也会减弱驱动回路的各种振荡干扰,防止误开关。因此需要权衡利弊来控制驱动电阻的大小。
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