1. 在[t₀,t₁]时间内，驱动电压v_gs从0开始上升，此阶段v_gs电压低于MOSFET的开启电压V_th，MOSFET会工作在截止区域，此时工作状态没有改变。

2. 在[t₁, t₂]时间内，v_gs持续升高且当v_gs大于V_th时，开始有正向电流。该电流与v_gs满足以下关系

i_d(v_gs-v_th)g_fs

其中g_fs为该MOSFET的跨导。

由于电流i_d上升过程中，v_ds一直处于较高电压位置，这会产生开通损耗，因此一般会尽量缩短[t₁, t₂]持续的时间以降低损耗。

3. 在[t₂, t₃]时间内，当电流全部换流到MOSFET之后，随着v_gs继续上升，i_d电流继续增大，MOSFET两端的电容C_ds开始放电，v_ds开始下降。此过程会产生一个动态的平衡状态：即驱动电流与C_gd放电电流相等，v_gs电压刚好维持MOSFET流过所有负载电流与结电容放电电流。这一段v_gs几乎不变的状态称为米勒平台(Miller Plateau)：

V_{gs_miller}V_th+I_dg_fs

米勒平台持续的过程是十分重要且有意义的过程。这段时间刚好对应v_ds下降的过程，加上之前i_d上升的过程，均存在电压和电流都大于零的区域，这两个阶段均会产生开关损耗，且持续的时间越长，开关损耗就会越大。

但如果米勒平台太短，v_ds下降的速度就会很快，这会产生很严重的EMI问题，且会产生较大的电流脉冲。这使得寄生电感上的产生电压尖峰，最终会对器件的耐压提出更高的挑战。