5月31日，上海证券交易所网站显示，碳化硅衬底材料企业山东天岳科创板IPO申请获得受理，山东天岳成立于2010年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。

招股书显示，目前公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。经过十余年的技术发展，已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核 心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。本次向社会公众公开发行新股的募集资金扣除发行费用后将主要用于碳化硅半导体材料项目。

值得关注的是，华为旗下的哈勃科技是山东天岳的第三大股东，持股比例8.37%，据企查查资料，山东天岳还曾获得中微半导体、深创投、先进制造产业投资基金二期等企业、机构的投资。

市场地位：半绝缘型碳化硅衬底市场世界前三

碳化硅衬底主要用于微波电子、电力电子等领域，处于宽禁带半导体产业链 的前端，是前沿、基础的核心关键材料。因其重大的战略意义，2008 年《瓦森纳协定》就对半绝缘型碳化硅衬底材料进行明确的限制，部分西方发达国家作为协定成员国对我国实施严格禁运，制约了我国国防和新一代信息通信的发展，对国家发展、产业链安全造成严重威胁。

在此背景下，山东天岳作为我国碳化硅衬底领域的领军企业，在国家亟需的时候，担当起国家核心战略物资的保障供应重任，批量供应了半绝缘型碳化硅衬底材料，成功实现该产品的自主可控。根据国际知名行业咨询机构Yole的统计，2019 年及2020年公司已跻身半绝缘型碳化硅衬底市场的世界前三。

同时，公司分别作为 863 计划新材料技术领域中导电型碳化硅衬底相关研究 课题和《2013 年新材料研发及产业化专项项目》中导电型碳化硅衬底相关项目 的牵头单位之一，已成功掌握了导电型碳化硅衬底材料制备的技术和产业化能力。在优先保障半绝缘型碳化硅衬底材料战略供应之余，公司同时进行导电型碳化硅衬底材料的研发和小批量销售，所制备的衬底正在电力电子领域客户中进行验证。

未来战略：做好技术提升、管理提升、稳步扩扩大产能

山东天岳是一家国内领先的宽禁带半导体衬底材料制造商，致力于碳化硅衬底的研发和生产，截至2020年末，公司拥有授权专利286项，其中境内发明专利66项，境外发明专利1项。通过数千次的研发及工程化试验，公司核心技术不断创新，所制产品已达到国内领先、国际先进水平。

公司已同时具备半绝缘型碳化硅衬底材料和导电型碳化硅衬底材料的研发技术产业化能力，报告期内，公司碳化硅衬底产量（各尺寸产量简单相加数）合计分别为11,463 片、20,159片和47,538片。为满足国家战略需要，公司将报告期内的产能主要用于半绝缘型碳化硅衬底的生产。

未来，为实现公司的愿景目标，满足不断扩大的市场需求和国家经济建设的需要，并积极参与国际竞争，公司制定了清晰的发展战略：一是做好技术提升，公司将持续加大科研投入及人才培养力度，加快推动核心关键技术创新升级；二是做好管理提升，公司将不断完善和优化公司的组织管理体系，为公司科学高效的运营管理提供有力保障；三是要通过增加投资、建设智慧工厂的方式稳步扩大产能，满足下游市场需要。

碳化硅半导体行业的战略意义

碳化硅衬底是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。

同时，我国“十二五”、“十三五”及“十四五”规划均已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在 5G 基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基 建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。

全球宽禁带半导体行业目前总体处于发展初期阶段，相比硅和砷化镓等半导体而言，在宽禁带半导体领域我国和国际巨头公司之间的整体技术差距相对较小。另外，由于宽禁带半导体的下游工艺制程具有更高的包容性和宽容度，下游制造环节对设备的要求相对较低，投资额相对较小，制约宽禁带半导体行业快速发展的关键之一在上游材料端。因此，我国若能在宽禁带半导体行业上游衬底材料行业实现突破，将有望在半导体行业实现换道超车。