DRV8353F是具有 3x CSA 的最大 102V 三相功能安全质量管理智能栅极驱动器
来源:中国IC网 发布时间:2021-09-02 分享至微信

产品详情

描述:

DRV835xF 系列器件是ADM823LYRJZ-R7高度集成的栅极驱动器,适用于三相无刷直流 (BLDC) 电机应用。器件变体提供可选的集成分流放大器以支持不同的电机控制方案。

DRV835xF 使用智能栅极驱动 (SGD) 架构来减少 MOSFET 压摆率控制和保护电路通常所需的外部组件数量。 SGD 架构还优化了死区时间以防止直通条件,通过 MOSFET 转换速率控制提供降低电磁干扰 (EMI) 的灵活性,并通过 VGS 监视器防止栅极短路条件。强大的栅极下拉电路有助于防止不必要的 dV/dt 寄生栅极开启事件 支持各种 PWM 控制模式(6x、3x、1x 和独立),以实现与外部控制器的简单接口。这些模式可以减少控制器对电机驱动器 PWM 控制信号所需的输出数量。该系列器件还包括 1x PWM 模式,可通过使用内部模块换向表对 BLDC 电机进行简单的传感梯形控制。

特性:

●9 至 100V、三重半桥栅极驱动器

可选的三重低侧分流放大器

●功能安全质量管理

可用于帮助 IEC 61800-5-2 功能安全系统设计的文档

●智能栅极驱动架构

用于 EMI 性能的可调压摆率控制

V GS握手和最小死区时间插入以防止直通

50mA至 1A 峰值源电流

100mA至 2A 峰值灌电流

通过强下拉来缓解 dV/dt

●集成栅极驱动器电源

高边倍增电荷泵 用于 100% PWM 占空比控制

低边线性稳压器

●集成三重分流放大器

可调增益(5、10、20、40 V/V)

双向或单向支持

●6x、3x、1x 和独立 PWM 模式

支持 120° 有感操作

●SPI或硬件接口可用

●低功耗睡眠模式(V VM = 48V 时为20 μA )

●集成保护功能

VM 欠压锁定 (UVLO)

栅极驱动电源欠压 (GDUV)

MOSFET V DS过流保护 (OCP)

MOSFET 直通预防

栅极驱动器故障 (GDF)

热警告和关机 (OTW/OTSD)

故障状态指示器 (nFAULT)

参数:

控制方式:外部控制,梯形控制

建筑学:栅极驱动器

控制界面:6xPWM、3xPWM、1xPWM

栅极驱动 (A):1

Vs (最小值) (V):9

与 ABS(最大)(V):102

特征:电流检测放大器、硬件管理 I/F、SPI/I2C、智能栅极驱动

工作温度范围 (℃):-40 到 125

TI 功能安全类别:功能安全质量管理





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