6月17日午间，彭博社突然传出消息，中国将加强对美国的芯片竞争，中国将支持芯片研发和制造项目包括拟定一系列相关金融和政策扶持措施，帮助国内芯片制造商克服美国制裁的影响。

据彭博社报道，该计划已预留约1万亿美元的政府资金，其中一部分将由中央和地方政府共同投资一系列第三代芯片项目，项目内容还包括发展中国大陆本土芯片设计软件和极紫外光（EUV）光刻机。

虽然消息的可靠性存疑，且“一万亿美元”的投资金额过于骇人，但是也侧面反映了中国发展包括第三代半导体在内的半导体尖端领域的决心！

第三代半导体产业链可以简单分为从衬底到薄膜外延和器件制造，再到模组及终端应用。衬底目前主要为SiC衬底和Si衬底两种。通过在衬底上进行外延及加工，可得到SiC器件、GaN-on-Si器件、GaN-on-SiC器件以及目前非主流的全氮化镓器件，主要应用于电子电力、微波射频等领域。

随着中国新基建的快速兴起，中国第三代半导体市场规模在未来几年内呈现喷薄式的发展。