日本尔必达公司27日宣布已经开始销售采用穿硅互连技术(TSV)制作的DDR3 SDRAM三维堆叠芯片的样品。这款样品的内部由四块2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通过TSV三维堆叠技术封装为一块8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相当1GB容量)，该三维芯片中还集成了接口功能芯片。

　　尔必达公司自2004年起便开始研发TSV技术，当时他们是在获得日本政府主导的新能源及工业技术发展协会(New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO))资金支援的条件下开始有关技术的研发的。尔必达公司随后便一直在继续进行有关的技术开发工作。公司还宣称早在09年，尔必达便已经成功研发出了业内首款基于TSV技术以及1Gb DDR3 SGRAM的产品。

　　至于笔记本产品上的应用方面，尔必达则认为这次宣布销售的样品芯片相比传统笔记本用SODIMM内存更加省电，产品的工作电压下降了20%，待机能耗降低了50%，而且芯片封装后的面积也下降了70%。