先前科技新报独家揭露，统筹中国存储器产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作，并有望获得美光在 NAND Flash 的协助，现在事情再有新进展，根据调研机构集邦科技旗下存储器储存事业处 DRAMeXchange 说法，紫光将于武汉成立新企业，未来武汉新芯将并入旗下，据科技新报取得的消息，最终由紫光集团董事长赵伟国将出线掌舵新事业。

　　朝 NAND Flash 发展前进

　　调研机构集邦科技旗下存储器储存事业处 DRAMeXchange 今 27 日发布消息指出，紫光集团预计于武汉成立长江存储科技，未来将并入武汉新芯并统筹集团下一切存储器发展项目，目前整体规划朝向 NAND Flash 产业发展。

　　DRAMeXchange 认为，紫光集团与武汉新芯目前将着力于 NAND Flash 发展，除了因 NAND Flash 后市可期， 武汉新芯原为 NOR Flash 大厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建设本就有所擅长。DRAMeXchange 协理杨文得进一步分析，紫光集团则在资金募集及策略并购等均有过人之处，透过两强携手整合资源，能使中国存储器产业投资的整体资源配置更加集中，并在整合上产生更多综效，对内得以于未来中国存储器产业的发展中瞄准较佳的地位，对外则能提升产业上谈判的筹码，有助于中国建立产业自主性。

　　根据科技新报先前取得的消息，紫光集团董事长赵伟国、大基金总经理丁文武可能在这之中扮演重要角色，新芯董事长杨士宁等则可能有异动，而目前最新消息，赵伟国确将担任董事长执掌合体之后的新事业。

　　飞索半导体之后再携美光?

　　武汉新芯在 3 月底于武汉东湖高新区所擘划的存储器基地才举行动土典礼，规划用于生产 3D-NAND Flash，预计 2018 年建设完成，官方预估，届时与飞索半导体合作开发的 3D-NAND Flash 将能达到 32 层堆叠，初期月产能约 20 万片，武汉新芯目标到 2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。

　　杨文得表示，3D-NAND Flash 的厂房新建等投资远高于 2D-NAND Flash 数倍，紫光/武汉新芯方若能循华亚科模式取得美光技术授权，则能以较低的财务负担来获取长期新产能的布建，更有机会在市占率拉近与三星和东芝/威腾(WD)阵营的距离。

　　3D-NAND Flash 现扩产潮

　　目前各家大厂在 3D-NAND Flash 产能的布建，三星在西安厂的投资外，韩国平泽厂区也规划加大 3D-NAND Flash 产能，东芝与威腾(WD)旗下 SanDisk 日本 Fab2 厂在日前开幕，新厂也可望自 2018 下半年投产，海力士则除现阶段 M11 与 M12 厂外，M14 厂第二阶段 3D-NAND 的生产也将从明年第一季后开始进行。英特尔美光阵营在今年 3 月扩建新加坡 Fab10X 外，英特尔大连厂转型生产 3D-NAND Flash 晶片也在这个月 25 日正式投产。

　　DRAMeXchange 预估，2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年复合成长率高达 47%，在 SSD 需求高度成长的带动下，NAND Flash 未来 10 年可望皆维持强劲成长态势。