TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示，受惠于全球智能手机出货成长，及内存搭载量不断攀升，第二季开始DRAM原厂逐步降低标准型内存的产出，转为行动式内存与服务器用内存。在供应逐渐吃紧下，第三季开始标准型内存价格呈上涨走势，同时带动其他类别内存的价格上扬。使得第三季全球DRAM总体营收较上季大幅成长约15.8%。

　　DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季适逢苹果iPhone 7与三星Note7二大旗舰机备货潮，虽然Note 7后来于第四季停产，但第三季的备货仍有助内存消化量与价格的上扬，标准型内存也因出货比预期更佳，加上笔电搭载高容量8GB内存比重亦持续增加，更让第四季标准型内存合约价季涨幅逾30%。

　　三大DRAM厂营收激增，美光转亏为盈

　　三星依然稳坐DRAM产业龙头，营收季成长约22.4%，成长幅度远超过市占第二的SK海力士，两大韩厂的市占各为50.2%以及24.8%，合计二家韩厂已囊括DRAM 75%的市占率。美光集团仍位居第三，营收季增12.6%，市占18.5%。

　　营业获利部分，三星仍是DRAM产业冠军，第三季营业获利率维持在37%，SK海力士由18%上升至25%，而美光则是转亏为盈，从-0.6%转为2.3%。吴雅婷表示，展望第四季，由于DRAM价格持续攀升，可以肯定各厂获利仍将进一步成长。

　　力晶科技季营收大幅衰退31.1%

　　由技术面观察，三星已在20纳米制程上取得领先，成本为三大DRAM厂中最低，新厂Line 17的18纳米制程也从下半年起开始生产。吴雅婷指出，由于三星目标以获利为重，对于18纳米是否继续大规模扩产仍在谨慎规划中。

　　第三季SK海力士的21纳米制程产出不如预期，导致产业供给吃紧，目前SK海力士仍将着重于21纳米的良率提升，并规划2017下半年进入18纳米试产阶段，持续制程转进。

　　美光在华亚科于今年九月正式100%转进20纳米制程下，20纳米制程也正式成为美光的主力制程技术，美光后续也计划明、后年陆续导入18/16纳米量产。

　　台厂部分，南亚科受惠于第三季标准型内存价格持续上涨，加上客户陆续追加订单，第三季营收较第二季成长16.7%，但随着新工厂Fab 3A North完工，明年上半年将导入20纳米制程，届时成本有望进一步降低。

　　力晶科技DRAM营收大幅下滑31.1%，受到第二季价格不好影响，力晶减少第三季标准型内存的产出，导致营收大幅下滑，随着第四季DRAM价格大涨，力晶DRAM投片又开始恢复之前水平，可预期营收将回复成长。

　　华邦电子第三季营收小幅成长7%，除46纳米比重持续提升外，38纳米制程预估最快于第四季正式少量投片生产，此外，由于利基型内存第四季起涨价，亦将反映在第四季的营收表现上。