台积电2nm工艺2023年风险试产良率或达90%
来源:电子产品世界 发布时间:2020-09-23
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据台湾经济日报报道,台积电2nm工艺取得重大突破,研发进度超前,业界看好其2023年下半年风险试产良率就可以达到90%。
本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202009/418649.htm供应链透露,有别于3nm和5nm采用鳍式场效应晶体管(FinFET),台积电的2nm工艺改用全新的多桥通道场效电晶体(MBCFET)架构。
据悉,台积电去年成立了2nm专案研发团队,寻找可行路径进行开发。
考量成本、设备相容、技术成熟及效能表现等多项条件,2nm采以环绕闸极(GAA)制程为基础的MBCFET架构,解决FinFET因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。
极紫外光(EUV)微显影技术的提升,使台积电研发多年的纳米片(Nano Sheet)堆叠关键技术更为成熟,良率提升进度较预期顺利。
台积电此前透露2nm研发生产将在新竹宝山,规划P1到P4四个超大型晶圆厂,占地90多公顷。
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