Memory产业格局巨变。紫光股份(103.50, 5.50, 5.61%)间接注入闪迪和同方国芯(59.33, 0.79, 1.35%)800亿元定增募投Memory产业。两次运作后，紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能，未来再有望进入DRAM领域，国内Memory产业格局发生巨变。

　　中国切入Memory优势有三。优势一，进口替代空间大，成长性好。2014年国内Memory规模520亿美元，自给率几乎为0。同时2012-2018年DRAM和NANDFlash复合增长率5.5%和11.0%，高于半导体行业平均增速4.6%。优势二，切入Memory门槛低，主要来自标准化(下游转换成本低)、制程要求低(避开中国软肋)、设计难度低。优势三，国内产业政策扶持和国内制造优势。

　　第一步NANDFlash，第二步DRAM。国内切入Memory领域分两步走，第一步进入NANDFlash领域，15-18年全球复合增长20%，2018年中国市场容量180亿美元，并有望有3DNAND实现弯道超车。第二步有望进入DRAM领域，15-18年复合增长12.1%，2018年中国市场容量210亿美元。不过产业巨头在扩产和提高技术进入门槛，有意减缓中国进入脚步。

　　行业给予“推荐”评级。Memory肩负中国集成电路在2015-2020阶段自给率从10%提升至40%的历史使命，在产业转移和政策支持的背景下，未来行业性的投资机会将持续。其中上游看好上海新阳(41.950, 0.25, 0.60%)、中环股份(13.41, 0.28, 2.13%)、七星电子(19.28, 0.00, 0.00%)，中游看好同方国芯，下游看好太极实业(9.91, 0.34, 3.55%)和长电科技(22.02, 0.00, 0.00%)。

　　风险提示:Memory进口替代进程不及预计和行业竞争风险。