TrendForce旗下存储器储存事业处DRAMeXchange最新报告显示，由于市况供过于求，第2季DRAM的平均销售单价持续下滑，整体均价季跌幅超过5%，但受惠美光20纳米及SK海力士21纳米产出顺利，带动位元供给成长，第2季全球DRAM总营收约91亿美元，季成长6.3%;三星、SK海力士、美光三大厂营收都成长，台厂部分，以华邦电( 2344-TW )营收季增3.3%表现最佳。

　　DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第2季笔记型电脑及伺服器相关产品出货动能表现一般，但中国地区的智慧型手机出货依然强劲，DRAM三大厂同步调整产品类别，持续向行动式存储器转进。伴随第3季强劲的旺季备货需求到来，DRAMeXchange预估第3季全球DRAM总营收将出现较显著的成长。

　　三星依然是DRAM产业营收排行第一，营收季成长约8.7%，市占达47.4%;SK海力士DRAM营收季成长4%，市占达26.5%，排名第二;美光集团仍位居第三，营收季成长8.8%，市占19%。

　　受销售单价下跌的压力影响，与上季相较，三星营业获利率由40%降至36%，SK海力士由24%下降至18%，美光集团则因制程转进逐渐稳定，营业获利率由-1.2%略升为-0.6%。

　　三星20纳米已稳定的成为各产品线主流制程，为三大厂商当中成本最低，原订2016年中要导入的18纳米制程则在三星控制产出的考量下，小幅减少投片量。三星后续的获利策略将以提升销售单价为优先，不一味寻求降低成本。

　　SK海力士的21纳米制程已导入约2个季度，目前主要的量仍集中在标准型存储器。今年下半年可更加着力在降低成本，以提高获利表现。第2季美光集团20纳米产出比重稳定提升，有助于提高营业获利，待未来持续降低成本。吴雅婷指出，下半年因DRAM价格上涨，可望继续提升美光集团获利表现。

　　由于第二季标准型、利基型存储器价格跌落谷底，加上主力客户放慢拿货力道，导致南亚科( 2408-TW )营收季衰退12.3%，但随着新工厂Fab 3A North完工，明年上半将导入制程，届时南亚科成本有望进一步降低。

　　第二季力晶科技DRAM营收小幅下滑6.3%，主要由于液晶驱动器(LCD Driver)需求强劲，转而减少DRAM产品比重所造成。

　　华邦电第2季营收小幅成长3.3%，除46纳米比重持续提升外，利基型、行动式存储器皆有贡献，华邦电新工厂Fab C预定最大产能预定约1.6万，将进行最新的38纳米制程，最快于明年上半进入试产。