尽管随着主要存储器业者已完成或即将完成Flash存储器产量扩增计划，2019年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出将会大幅下滑，但该支出金额仍然会继续高于各业者在DRAM与晶圆代工业务上的支出。

　　ICInsights最新资料显示，2016年全球半导体业者在Flash业务上的资本支出金额为144亿美元，低于同年晶圆代工业务资本支出金额的219亿美元。

　　随着Flash市场需求增加，各存储器业者为扩大或升级3DNAND生产线，纷纷增加Flash资本支出，使得2017与2018年全球该项支出分别年增92%与16%，达276亿与319亿美元，均高于各当年半导体业者在DRAM与晶圆代工上的资本支出。

　　而随着主要存储器业者已完成或即将完成Flash产量扩张计划，预估2019年全球Flash资本支出，将较2018年下滑18%，达260亿美元。不过该支出金额仍高于同年DRAM与晶圆代工业务资本支出金额的205亿与202亿美元。

　　虽然2019年全球Flash资本支出将会下滑18%，但就目前市场状况而言，260亿美元支出仍然是非常健康的支出水平。

　　再就全球主要NAND业者在扩建或新建生产线上的发展情形而言，2018年10月SK海力士(SKHynix)在韩国清州的M15晶圆厂已正式开始启用。该厂初期会以生产72层3DNAND产品为主，其后将会加入96层3DNAND的生产。

　　而已脱离东芝(Toshiba)的东芝存储器公司(TMC)，也于2018年上半完成了位于日本四日市的12吋新晶圆厂(Fab6)兴建作业。预期该厂会于2019年初展开第一阶段营运。此外，位于日本岩手县北上市的另一新晶圆厂，也已于2018年7月开始动工。

　　美光(Micron)除了对位于新加坡的2座Flash存储器晶圆厂，进行大规模升级投资外，也开始在当地兴建第3座NANDFlash晶圆厂。

　　国内紫光集团旗下武汉新芯/长江存储的Flash存储器新晶圆厂，也已完成设备安装，并开始小量生产32层NANDFlash。

　　至于三星电子(SamsungElectronics)在面对其他业者竞争，尤其是国内新兴业者来势汹汹的情况下，投资金额远高于其他业者，希望能够借此维持自家产品在市场上的竞争优势。

　　资料显示，2017与2018年三星在Flash上的资本支出金额分别为130亿与90亿美元，占各当年所有业者合计支出的47%与28%。预估2019年三星Flash支出虽然会下滑至70亿美元，但仍占当年所有业者合计支出的27%。