华虹第二代0.18微米5V/40V BCD工艺量产-icspec

华虹第二代0.18微米5V/40V BCD工艺量产

来源:电子产品世界发布时间:2018-10-10

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特色工艺纯晶圆代工企业——华虹半导体有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产，该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势，对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201810/392717.htm

第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V，其导通电阻低至 20 mOhm.mm

，达到该节点领先工艺水平，可提高产品的驱动能力，减小芯片面积，扩大高压管安全工作区（Safe-Operation-Area,SOA），保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件，包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外，该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse，从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。目前，在与国内外多家客户紧密合作下，公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证，并成功进入量产。

以绿色科技为主导，电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理（PMIC）BCD工艺方案，在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来，华虹半导体将继续发挥在BCD和eNVM特色工艺上的技术优势，提供二者的集成方案，为智能化电源产品，打造高端电源管理系统级芯片（SoC）。