期间，由华灿光电股份有限公司、佛山市国星光电股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司共同协办的“Mini/Micro-LED新型显示技术”分会上，北京大学教授陈志忠做了题为“Micro-LED大注入条件下的多体效应研究”的主题报告，分享了最新成果。

微米发光二极管(Micro-LEDs) 用于可见光通信（VLC）或者高亮度微显示中，经常在大注入条件下工作。基于单粒子近似的半导体能带理论在LED有源区载流子浓度高于1019 cm-3 将不再有效。Y研究对于大于100 kA/cm2超大注入水平的micro-LED考虑了多体效应，包括能带重整化(BGR)，库伦增强（CE）以及载流子碰撞效应等。

研究对20微米直径的micro-LED进行了不同电流下的电致发光（EL）光谱的测量，结果发现随着电流密度从50 kA/cm2增加至360 kA/cm2，EL谱峰值波长红移，光谱宽度增加。同时在大于100 kA/cm2的电流密度下，观察到外量子效率（EQE）的反常增加。

通过Crosslight公司的APSYS软件包进行数值模拟，发现EL谱峰值波长红移与BGR效应以及结温增加有关，载流子碰撞展宽基本主导了大注入下的光谱展宽，载流子碰撞还减少了发光效率。而CE则导致了d(logL)/d(logI)曲线的反常，引起EQE随注入电流增加而反常增加，同时还导致较为复杂的EL峰值波长的变化。

除了多体效应，研究还讨论了相空间填充，极化屏蔽以及密度激活的缺陷复合（DADR）。也讨论了APSYS软件处理多体效应问题的限制，并对大注入工作的micro-LED进行了应用方面的预测。
 

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）