DDR4现货，4月暴跌20%

近期，工信部出手调控存储市场，要求短期内稳定物价，并严查囤积居奇、恶意炒作等违规行为，同时推动企业与海外原厂签订长期订单，加大对国内存储厂商的支持力度。部分囤货代理商开始抛售库存，存储现货市场自3月起快速从抢购行情转向恐慌性抛售，4月现货跌幅进一步扩大。
其中，16Gb规格DDR4在连续近一年逐月大涨后，4月价格回落20%；16Gb DDR5颗粒行情相对平稳，单月小幅下跌0.5%；512Gb TLC闪存晶圆现货价格4月下跌约10%。尽管NAND原厂价格持续走高，但大容量固态硬盘（SSD）需求疲软，仅256GB及以下的SSD价格略有上涨。
另一方面，采用老旧制程的低容量存储产品供给持续收缩、库存不断耗尽，行情逆势大涨。例如64Gb MLC颗粒4月现货涨幅达40%，2Gb SLC颗粒涨幅达30%，4Gb DDR3价格同步上涨12%。
不过，存储整体供需仍全面紧缺，原厂库存处于历史低位，企业级和服务器订单已排期至2027年。DDR4、DDR5的4月合约价格涨幅维持在20%~30%，NAND也呈现上行的涨价态势。
据估计，DDR5的4月合约价从31美元上涨至37.5美元，单月涨幅约21%；DDR4合约价从3月的13美元调升至18美元，涨幅达38%。NAND Flash合约价（512Gb Wafer）从23.69美元上涨至27.24美元，涨幅约15%；TLC 1Tb Wafer合约价从29.02美元上涨至33.37美元，涨幅同样约为15%。
存储供应链人士指出，AI需求持续强劲，叠加上游原厂产能扩张受限，供不应求将成为长期趋势。存储产能紧缺问题不仅贯穿2027年，甚至可能持续至2030年。以三星为例，其2026年第一季度DRAM位元出货量仅实现低位数环比增长，NAND位元出货环比提升约20%；但产品平均售价大幅攀升，DRAM均价环比涨幅约90%，NAND均价环比上涨80%。
伴随服务器端LPDDR5X需求快速放量，三星方面表示，受产品涨价带动，传统内存的毛利率已超越HBM。目前HBM采用年度议价模式，传统内存为季度调价，短期内二者盈利差距显著。后续随着HBM供需矛盾加剧，三星预判2027年两类产品的利润差距将逐步收窄，DDR5、LPDDR5X价格也将长期维持高位运行。

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