兆易创新加码DRAM，将联手长鑫存储

据韩媒ET News报道，兆易创新计划通过与长鑫存储的深度合作，扩大在DRAM市场的布局。
报道称，兆易创新拟在4月24日召开的年度股东大会上审议一项议案，计划向长鑫存储及其关联企业采购总额近8.3亿美元的DRAM产品，较2025年实际执行金额1.7亿美元大幅增长。
兆易创新董事长朱一明在两家企业中均具备重要影响力，该计划被视作加强存储产业链整合的关键布局，由长鑫存储负责生产制造，兆易创新则专注于产品规划与市场销售。
兆易创新此前以NOR Flash与MCU产品为主，未来将依托长鑫存储的生产能力，积极拓展DDR3、DDR4及LPDDR4等DRAM产品线，加快打造完整的存储芯片产品矩阵。
目前，全球DRAM市场由三星电子、SK海力士与美光占据主导。但随着人工智能服务器需求持续增长，叠加HBM产能被优先调配，通用型DRAM市场出现结构性供应紧张。在此背景下，兆易创新通过扩大供货规模与市场销售能力，有望在成熟制程DRAM市场占据一席之地。
市场预计，兆易创新的DRAM业务2025年营收有望突破2亿美元，若供货规模持续提升叠加价格行情向好，2026年相关营收甚至有望达到10亿美元规模。

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