闪迪开建HBF闪存生产线

据韩国媒体ET News援引业内人士消息，闪迪正加快推进高带宽闪存（HBF）技术的供应链布局，目前已携手产业链合作厂商搭建技术生态，日本成为该技术试产线选址的热门候选。
HBF采用TSV硅通孔工艺完成多层NAND闪存垂直堆叠，核心封装设计借鉴HBM高带宽内存架构，并针对NAND闪存页级访问特点，搭载并行子阵列架构，实现多单元并行读写操作。该创新架构兼顾NAND大容量存储优势，有效突破传统闪存的带宽瓶颈。
在应用定位上，HBF属于非易失性存储介质，断电后数据可永久留存，核心用于AI推理环节的大模型参数存储，和聚焦高性能计算的HBM形成差异化互补，完善AI存储分层体系。
产业链高层透露，闪迪这款新品原型将于2026年下半年问世、建成试产产线，并在年末开启试量产，力争2027年实现商业化落地。随着HBF产线配套设施逐步落地，相关制程所需的材料、零部件及设备需求将同步增长，为高端创新存储市场注入全新动能。
除闪迪之外，SK海力士、三星电子也在全力布局HBF技术研发。其中SK海力士与闪迪合作推进HBF技术标准化，三星则依托自研技术抢占市场。行业分析指出，HBF与HBM制造工艺高度相近，现有HBM产业链的材料、零部件及设备厂商，有望持续维持领先优势。
韩国科学技术院教授金正浩在2026年初的技术路线峰会上预判，至2038年，HBF整体市场规模将反超HBM，成为未来存储行业最具潜力的增长板块。

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