AI服务器掀起HVDC电源管理技术革命

据报道，随着AI服务器对电源功率密度的要求持续攀升，传统硅基解决方案已无法满足需求，碳化硅（SiC）成为新一代技术的关键材料。近期，多家厂商已相继披露在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等产品布局方向。
高压直流 （HVDC）技术被视为电源管理新技术革命的解决方案之一。业内分析，800 VDC与±400 VDC高压直流电源是两个不同的架构，而在交流电转直流电（AC to DC）中对电压转换效率的要求显著提升，SiC相较于GaN更能满足这一场景的性能需求。IDM大厂英飞凌（Infineon）已在此领域完成超前部署。
供应链人士透露，目前前端技术仍由欧美IDM大厂主导，对于中国大陆和中国中国台湾地区地区厂商而言，可切入的市场主要集中在后端DC to DC转换环节，例如将800V直流电逐步降压至48V、12V或0.6V等电压等级。
供应链业者进一步解释，传统硅基半导体的开关频率通常仅为每秒数千次，而SiC等宽能隙半导体的开关速度可突破每秒百万次。更高的开关频率不仅能大幅缩小电路中电感、电容等被动元件的体积，降低整体设备的空间占用，还能有效减少能量损耗、降低散热系统的设计需求，为AI服务器的小型化、高效化提供多重技术支撑。
英诺赛科凭借技术优势在AI服务器电源领域表现突出。其研发的100V氮化镓器件被英伟达新一代架构采用，用于48V-12V的电压转换环节。相较于传统方案，该器件将转换效率提升5%，同时使产品体积缩小40%，英诺赛科也因此成为国内独家进入英伟达800V高压直流方案供应链的芯片供应商。扬杰科技则实现6英寸SiC MOSFET 的量产，其产品导通电阻低至15mΩ，在800V高压快充桩与AI服务器电源领域均具备良好的应用适配性。
中国中国台湾地区地区厂商也在推进相关技术落地。富鼎近期透露，已与电源供应厂商启动合作洽谈，预计最快于2026年推出针对AI服务器应用的SiC产品，正式进军该市场。力智则针对SiC与GaN的技术特性给出差异化定位：两者适用于不同电流场景，其中SiC凭借优异的热导性，更适合覆盖超大电流需求场景；GaN则在中低电流及高频运算场景中更具优势。力智表示，公司将重点扩展GaN在服务器平台的应用。
供应链业者认为，当前正处于电源管理新技术导入的关键窗口期。功率半导体在三大领域展现出成长潜力：一是电动车（EV）的逆变器及超高速充电系统，二是AI服务器及高压直流电源管理，三是太阳能发电与储能设备。

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