德国NexWafe太阳能硅片制造技术取得突破

近日，德国NexWafe公司宣布其太阳能硅片制造技术取得了重大突破，EpiNex太阳能硅片在商用M6异质结(HJT)电池上成功实现了24.4%的效率，这一成果不仅标志着EpiNex硅片首次达到了与传统CZ硅片相同的效率水平，更预示着太阳能硅片制造技术的新篇章。

NexWafe所采用的“气体到硅片”外延技术，无疑是一次颠覆性的创新。与传统CZ硅片生产方式相比，该技术通过化学气相沉积在晶体基板上直接生长硅晶体结构，不仅减少了材料浪费，还降低了40%的能耗，并省去了电池生产中的锯损伤蚀刻工艺步骤。

据NexWafe官网资料显示，传统的CZ技术因多晶硅损失而造成高达50%的材料浪费，而EpiNex技术则通过消除线锯割缝损失，将这种浪费减少到了10%以下。

除了降低成本，EpiNex技术还能很好地满足下一代太阳能电池对太空应用和串联结电池不断变化的需求。这些应用通常要求硅片更薄，且具备更强的热稳定性、精确的平整度和卓越的材料质量。而EpiNex技术正是为了满足这些需求而设计的，其晶圆的氧含量比传统CZ晶圆低了20倍，这一特性不仅增强了其热稳定性，还有助于提升电池在高温条件下的性能。