传：中芯国际副总裁加入长鑫存储

3 月 13日消息，据Digitimes 报道，中芯国际前技术研发执行副总裁周梅生加入长鑫存储，担任技术研究和开发中心负责人 。

目前，长鑫存储在内存技术上不断推进，于去年 11 月末发布了 12Gb LPDDR5-6400 颗粒，以及 POP 封装的 12GB LPDDR5 芯片和 DSC 封装的 6GB LPDDR5 芯片，其中 12GB LPDDR5 芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

Digitimes 预计未来长鑫 LPDDR5 将全面覆盖中高阶移动终端产品，包括笔记本、智能手机、平板电脑、可穿戴设备等品类。

长鑫存储申请半导体专利

2024年3月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器“，公开号CN117693183A，申请日期为2022年8月。

专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法、半导体存储器，该半导体结构包括：衬底；形成于衬底上方的堆叠结构；其中，堆叠结构包括多个器件结构和多个字线结构，器件结构沿第一方向延伸，字线结构沿第二方向延伸；器件结构依次包括电容区和有源区；形成于堆叠结构中的多个位线结构，且位线结构沿第三方向延伸；其中，位线结构依次穿过不同堆叠层中沿第三方向排布的有源区，其中，任意相邻的两个位线结构沿第二方向至少部分错开排列，第一方向和第二方向位于平行于衬底的表面所在的平面，第三方向垂直于衬底的表面。本公开实施例能够减小位线电容，提高器件的感应裕度。