再涨15%~50%,这类芯片补涨正式启动!
来源:芯视野发布时间:2024-01-031007浏览
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据台湾电子时报报道,存储器模块业者传出,三星电子、美光等存储器大厂,正规划今年第一季将DRAM价格调涨15%~20%,借此催促客户提前规划未来使用需求量。已有厂商透露收到三星的涨价预告。
相较于2023年第4季DRAM价格相对持稳,业界研判,上游原厂涨价焦点将从NAND转移至DRAM,DDR4、DDR5有望成为下一波调涨重点。
至于NAND涨幅虽然没有明确提出,但业界预料仍将继续调涨。国内重量级NAND相关业者表示,NAND芯片将持续强力拉抬报价,预料还要再涨四成以上,才能让大厂跨过损平基准,要能赚钱,未来报价涨幅至少会达五成甚至更高。

业界预期,随着上游原厂酝酿提价DRAM,多家存储器模块业者各自收到风声启动备货,预计供货给OEM厂的合约价可望延后一个季度跟进,预计从第2季起将全面反映DRAM涨势。
预计这波DRAM涨价由三星率先发动攻势,操作玩法几乎与2023年第3季NAND调涨相似,但未来DRAM涨幅能否如同NAND Wafer强劲攀升,仍需观察后续市场需求。报道称,终端市场仍存在观望气氛,前两个季度的市场表现非常关键,若主要应用出海口需求顺利衔接,存储器前景才会比较确定。
供给方面,业界指出,无论是DRAM或是NAND,2023年Q4上游供货状况并不紧缺。但前提是要能够接受原厂提出的价格,只要价格对了,原厂都有货可以卖。
这一背景下,削减产能仍然是原厂重要的保价策略。2023年下半年开始,韩系DRAM大厂一直在降低DRAM稼动率,以三星为例,第4季DRAM产出仅约2023年第1季的7成左右,同时逐步增加高端制程的产出。
据了解,2024年Q1 DRAM整体产能供应仍然偏向节制谨慎,未来供应商将会持续减产成熟制程,并转向先进制程技术。
三大DRAM厂过去DDR4采用1X或1Y纳米制程,在2023年进入产品结束周期,三星及SK海力士将8Gb及16Gb产品改以1Z纳米节点为生产主力。美光的成熟制程生产也进入尾声,DDR4全面推向至1α纳米制程,至于各家的DDR5 16Gb也将从1α转向至1β纳米的先进制程。
整体而言,市场实质买气并未复苏,短期内交易需求较为平淡,预料第1季终端市场仍存在观望气氛,第1~2季将是关键,若主要应用出海口需求顺利衔接,存储器荣景将确定大好,产业供不应求将无悬念。

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