台积电，最新路线图

近日，Morethanmoore的作者IAN CUTRESS在最近的一篇文章中分享了台积电的最新路线图。据他所说，这是他参加台积电OIP所获得的消息。首先，文章从台积电季度财务电话会议中已知的数字开始。

据介绍，台积电每年生产相当于 110到120万片的12 英寸晶圆。目前其收入的 50% 或更高（23Q2 为 53%）来自两种领先的节点技术：7nm 和 5nm，3nm 的收入将在今年年底实现，这些节点约占晶圆的 20%体积。如果按应用平台划分，大约 44% 的收入来自 HPC，33% 来自智能手机，其余部分则分布在物联网、汽车和其他领域。

就台积电的生产布局而言，它在台湾拥有四家超级工厂，专注于 12 英寸生产。这些巨型晶圆厂是分阶段建设的，其中台积电自 2020 年以来将建设新阶段的速度从每年 2 个提高到每年 5 个。与这些巨型晶圆厂一起建设的还有 APF6，即先进封装 Fab 6，于2023年 6 月开业。

至于备受关注的台积电 N3，则来自台南 Fab 18 的第 5、6 和 8 期，而台积电未来的 N2 将进入新晶圆厂——新竹的 Fab 20 和台中的新厂址台。台积电近两年已开工10期，其中5期是在台湾的制造、2期是在台湾的先进封装、3期在海外。

台积电的海外业务包括自 2018 年开业的中国南京一座晶圆厂（Fab 16）、日本熊本的一座新晶圆厂（Fab 23）以及亚利桑那州的两座新晶圆厂（Fab 21）。亚利桑那州的第一个工厂已开始接收设备，以期在 2024 年实现 N4 的批量生产。亚利桑那州的第二个工厂正在建设中，为 N3 建造。亚利桑那州的目标是每年生产 60 万片晶圆，或者每月启动 5 万片晶圆。根据一贯的做法，一座 Gigafab 每月产量超过 10 万片，所以亚利桑那州现在只是 Gigafab 的一半。

在日本，熊本工厂已开始生产目前需求量很大的 16/12 纳米和 28 纳米特种技术，预计于 2024 年实现量产。台积电还表示，中国新扩建的工厂于 2022 年开始量产 28 纳米技术。此外，作为制程的一部分，台积电已经将机器学习集成到其生产流程中，以保持质量和一致性，同时也优化客户的产量和生产。

台积电 N3、N3E、N3P、N3X

有很多报道称，由于台积电决定在 N3 中坚持使用 FinFET 技术，因此报道称台积电无法获得性能优势，并且存在一些延迟。以下是台积电向我们介绍的有关其技术的内容。

首先，在良率方面，当前的 N3 具有与 N5 在当前开发和生产阶段相同的缺陷密度 (D0：defect density)，台积电表示他们在大批量生产中具有“行业领先”的良率。他们预计 N3 缺陷率将按预期追随 N5，并在适当的时候达到同等水平。请注意，N5 缺陷率约为每平方厘米 0.07 个（或每个晶圆 40-45 个）

这里有很多数字需要出合理，但我会和你一起回顾一下。所有这些数字均引用了 Arm Cortex-A715 内核示例，这是最新的内核设计之一。

TSMC 表示，从 N5 到 N3E，N3E 的速度（频率）提高了 18%，密度提高了 30-60%（具体取决于 SoC 与逻辑），并且功耗降低了 32%；N4PRF 则是 N4 的射频优化版本，预计将于 2023 年下半年/2024 年初进行风险生产。

来到3nm节点，N3 将于 2022 年第四季度进入量产；N3E 同样将于 2023 年第四季度进入量产，速度提高 5%，密度不变。N3E 已通过性能和良率目标；N3P 将跟随 N3E，于 2024 年 2H 投入生产。与 N3（非 N3E）相比，N3P 与 N3（非 N3E）相比频率增加 10%，密度增加 4%；N3X 是更高性能的版本，将于 2025 年量产。与标准 N3 相比，它在相同功率下提供 +15% 的速度和 +4% 的密度。

就目前情况而言，N3E 的几乎所有 IP 均已准备就绪并经过硅验证，其中 UCIe 和 HBM3 是最后完成的两个主要部分（但今天已获得硅前支持）。相比之下，N3P IP 大多仍处于投片前支持或仍在开发/规划中。

台积电还将开发 N3 的汽车级版本，这基本会发生在主工艺出货100 万片晶圆后，台积电才后再创建汽车级版本，这会造成 2-3 年的滞后，但在这种情况下，需求足够高。此外，台积电将创建N3AE，帮助客户比平常更早地进行设计。N3A（完整版本）将于 2026 年推出。台积电表示，他们认为 N3AE 更多的是消费级版本，而 N3A 将是适合企业部署的完整版本。

台积电 N2、N2X、N2P、BSPDN

现在我们转向台积电的 N2 路线图，即使用环栅晶体管的工艺节点。

TSMC 使用 Cortex A715 作为基础设计，声称 N3E 节点速度提高了 5-15%，密度提高了 15% 以上，功耗降低了约 25-30%。图中的数字将其转换为与基本 N3 的比较，只是为了保持一致性，但这些数字可能是非此即彼，而不是组合。

据消息人士透露，制造这些新晶体管的困难部分实际上是晶体管本身的一致性，因此台积电似乎需要时间来解决它。TSMC 表示，N2 功耗降低的很大一部分是其设计提供的最低电压较低，这应该可以满足当前对高效硬件的需求。N2 的时间表涉及 2025 年的风险生产，那就意味着到下半年，芯片产能增加。

在 N2 的 EDA 方面，台积电表示所有主要 EDA 工具和供应商均已通过认证。这包括来自 Synopsys 的完整 EDA 堆栈（包括与 Ansys 合作开发 EMIR）、来自 Cadence 的几乎完整堆栈（具有 EMIR，而不是 Tx STA）以及来自 Synopsys、Cadence 和西门子EDA的模拟器（Simulator）。

来到性能数据方面（据说与 A715 进行比较）。

对于 N3，台积电推出了一种名为 FinFlex 的新设计模型，允许晶体管使用不同数量的栅极来实现高性能（称为 3-2）或高密度（2-1）设计。高性能设计允许更高的频率，但会降低功耗，而高密度则允许更紧凑的设计，但不能推动太多。

之所以会有这个想法，是因为现代 HPC 核心（例如 x86 或 Arm 核心）将使用性能晶体管，而 IO 和效率核心可能会使用密集晶体管。N2 似乎还没有 FinFlex 产品，但将两种晶体管类型与标准 N2 产品进行比较时，N2 在等频率下的功耗减少了 30%，在等功率下的频率减少了 13%。这与他们报告的数字相符，但台积电为这些数字提供了更多选择。

值得注意的是，台积电的常规 N2 工艺节点不会采用称为背面供电（BSPDN）的技术。这项技术改变了芯片的构建方式——不是将晶体管上方的电源连接和信号连接交织在一起，而是将两种类型的连接分开——电源在背面，信号在正面。

因为BSPDN是一项复杂的技术，所以TSMC 将在周期后期提供带有 BSPDN 的 N2 版本——与标准 N2 相比大约晚六个月。BSPDN 的优点还包括更简单的设计规则，但增加了密度（比常规 N2 增加10%）和速度（增加5%到10%）。功耗似乎有点难以判断，因为更高效率的权衡之一是更低的功耗或更高的性能，而且台积电似乎专注于 BSPDN 的性能方面，特别是由于功率信号/数据信号串扰较少。

同时，我们还发现了与 TSMC Wafer-on-Wafer 技术类似的东西——Graphcore 在 N7 上使用 WoW 将一些 MIM 电容器从金属堆栈的上层迁移到单独的芯片中，从而使它们更大并且更不易受到干扰，这带来的最终结果是更高的效率据报道，这种技术可以提高频率，使性能提高 30%。

BSPDN 更复杂，因为它将所有功能都放在了背面，但没有像WoW那样带来重大变化，因此带来的好处可能会受到削弱。与其他节点相比，N2 + BSPDN 似乎还没有被赋予特定的名称，因此我们将看看随着时间的推移它是否会发生变化。

TSMC 同时还提供 N2 和 N2+BSPDN 作为不同的变体将成为行业规范。英特尔已明确表示，对于他们称为 PowerVia 的 BSPDN 版本，这也将是 20A/18A 节点客户的可选附加功能。但由于 BSPDN 涉及的范围更广，似乎两家公司都必须拥有 BSPDN 和非 BSPDN 版本才能满足所有成本模型和设计选择。

在N2 和 N2+BSPDN 之后，台积电已经谈到了 N2P 和 N2X，但提供的细节很少。我们预计这些节点变体将遵循与 N3P 和 N3X 相同的路径（相对于这些节点的速度或密度的微小增加）。

除了 N2 系列之外，TSMC 仍在研究Forksheets（用于密度改进的 GAA 变体）、CFET（也是用于主要密度的 GAA 变体，但可能会牺牲性能） 、2D 晶体管以及碳纳米管等其他潜在技术，但典型的改进可能会在未来十年内出现。

HBM、模拟迁移和3D Fabric

台积电的活动还重点关注了其他技术，例如作为 3DFabric 内存联盟一部分的内存。台积电每月与所有供应商举行小组会议，以确保路线图和封装能力保持一致，并确保 JEDEC 和每个人都保持一致。此次活动的焦点是 HBM3 和 HBM4。以下是台积电对每个合作伙伴的评价。

• JEDEC：HBM4 规范与 16Hi 堆栈一致；

• 美光：宣布推出 9.2 Gbps 的 HBM3 Gen2 产品，并进行 CoWoS 芯片验证；

• 三星：HBM3 12Hi 协作可增加 50% 容量，无缓冲（Buffer-less） HBM 研究正在进行中；

• SK Hynix：HBM3 + HBM4 的CoWoS 协作，HBM4 上的 DTCO，超越 JEDEC 规范，还有 UCIe；

根据此列表，SK Hynix 似乎在 HBM4 方面走得更远，但美光和三星都在寻求更高容量或更高带宽的 HBM3。随着对快速、高容量 HBM 的需求不断增加，我相信大多数公司都会采取任何措施 ，但这是可制造性、供应链和一致性的情况。HBM4 使用与 HBM3 相同的频率，但具有双倍引脚以实现双倍带宽，因此它应该是一个“更简单”的迁移。

在制造的模拟方面，台积电也在扩展标准单元的工具包。

TSMC 之前发布了 ADM 1.0，用于模拟设计迁移。在过去，这需要完全定制设计。TSMC 还提供了一种为 N5 和 N3 引入模拟标准单元的方法，现在已扩展到 ADM2.0，提供向后至 N16 并向前至 N2 的标准单元。台积电的目标是继续回到 N28 和 N40，以便获得更广泛的客户采用并缩短上市时间。台积电还着眼于将其引入 N2+BSPDN、Cadence 和 Synopsys 都在原理图迁移、电路优化和布局迁移方面提供全面的 EDA 支持。

台积电还分享了公司在 3DFabric 联盟以及 3Dblox 封装方面的进展。

根据介绍，台积电的目标是为客户提供一组通用的可扩展设计语言，与 EDA 供应商的通用集成工具接口，以便灵活集成下一代昂贵的芯片和这些芯片所需的复杂封装。通过提供 EDA 系统可用于开发和仿真的统一设计语言集，目标是降低芯片上市的端到端成本，并加快上市时间。

3DFabric 作为一个套件提供，包含文档、设计流程和技术文件。其中，一个套件适用于台积电 8 种封装技术。据了解，这些内容分为三类：

1. Integrated Fan Out (InFO)：InFO_oS、InFO_LSI

2. Chip on Wafer on Substrate (CoWoS)：CoWoS-S、CoWoS-L、CoWoS-R

3. System on Integrated Circuit (SoIC)：SoIC-X、SoIC-P

其中，最前面首先面向市场，而且 InFO 选项也几乎完全来自 3DFabric 套件标准。该套件包含 DRM、DRC、RCX、CAD、PERC、EMIR 等元素，对于 InFO，这两种变体几乎都是完整的。CoWoS-S 也已接近完成，但 L 和 R 仍有一些进展。SoIC-X 大约完成了一半，而 SoIC-P 才刚刚开始。

同时，台积电还对他们与 AMD 在 MI300 上所做的工作非常满意。它使用了多种合作开发的新技术，但台积电还确认 MI300 象限具有基础芯片（quadrants feature base die），其中两个象限（quadrant）是镜像的。每个象限基芯片（quadrant base die）上都有两个图形小芯片或三个 CPU 小芯片，但台积电将其视为 3D 硅集成的前所未有的壮举。

原文链接

https://morethanmoore.substack.com/p/tsmc-oip-forum-fabs-n3n2bspn