致能科技推出国内首款1200V耗尽型GaN器件

近日，广东致能科技有限公司发布了国内首款1200V耗尽型（D-Mode）高可靠性氮化镓（GaN）器件平台。这款器件平台在满足1200V系统可靠性的条件下，本征击穿达到了2400V，可于工业、新能源、汽车等领域实现广泛应用。

致能科技是一家专注于氮化镓功率半导体器件研发与生产的公司，已建成外延、器件、封装、系统的全链条研发及生产能力。值得一提的是，致能科技已量产的第一代横向氮化镓功率器件产品在生产良率、工艺水平、系统效率及可靠性试验等方面已做到业内领先。

氮化镓作为新兴的宽禁带半导体材料，以其为基础的氮化镓功率器件已成为第三代功率半导体的主要发展方向之一。氮化镓功率器件具有速度快、能耗低、应用范围广等优点，可大幅降低应用系统的体积与成本，是支撑储能、电动汽车、5G通信等产业未来发展的核心基础部件。

目前，氮化镓功率器件主要有增强型（E-Mode）和耗尽型两大技术路线，增强型是常关器件，耗尽型则是常开器件。从主流玩家方面来看，纳微半导体、英飞凌、GaN Systems、EPC、英诺赛科以及氮矽科技等企业采用增强型设计路线；Transphorm、PI、TI、Nexperia、镓未来以及华润微等公司则采用耗尽型设计路线。

今年10月，PI推出了1250V D-Mode氮化镓产品，这是全球首颗额定耐压最高的单管氮化镓功率IC，采用了PI自有PowiGaN™开关技术，强化了公司在高压GaN技术领域的持续领先地位，具有里程碑意义。

致能科技本次发布1200V D-Mode氮化镓器件平台，同样创造了国内氮化镓产业发展的新历史。