英诺赛科发布全链路InnoGaN数据中心方案，损耗降低50%

10月8日，英诺赛科官方公众号发文称，数据中心采用全链路GaN设计方案，能够提高能源转换效率，将系统损耗降低50%。

据悉，英诺赛科从前端PSU电源到主板DC/DC模块，以及芯片的直接供电方面，都提供了GaN方案。

source:英诺赛科

前端PSU电源方面，英诺赛科推出 2kW PSU参考设计，采用图腾柱无桥PFC+LLC结构，效率高达96.5%，体积仅为185*65*35(mm³)，完美符合 80 Plus 钛金级能效。

英诺赛科SVP产品负责人孙毅表示，目前服务器电源功率已经从800W上升到了现在的1.3KW、甚至有的上升到了4KW，面对这样大的提升，对功率密度以及效率都提出了高要求。

GaN与SiC和Si器件相比，开通与关断损耗下降了至少50%，并且没有反向恢复损耗，可以轻松满足钛金级效率需求。

source:英诺赛科
针对目前逐渐流行的48V供电架构，英诺赛科推出了从420W-1000W的IBC电源模块，最高功率密度达2200W/in^3。

与Si方案相比，采用GaN的系统方案可将有效占空比提高7%，死区降低43.8%，原边有效电流降低7.3%，副边有效电流降低5.2%；
方案中的器件、变压器、PCB等总损耗降低20%，可以使效率提升0.5%以上；
基于系统38W散热条件下，Si方案输出功率960W，GaN方案可以输出1100W，功率密度可以提高15%以上。

source:英诺赛科
核心供电方面，英诺赛科采用氮化镓设计的Vcore核心供电方案，支持MHz以上开关频率，减小无源元件体积从而提高功率密度，同时InnoGaN能够实现更高的效率和更低的成本，打造系统优势。

相比于700~800kHz 的传统Si方案，GaN频率提升至1.5MHz以上，电感等无源元件体积减小，power stage功率密度预计提升超过30%；预计能够帮助系统效率提升超过1%，从而减少系统损耗。

如果说SiC能够快速发展是借着电动汽车市场起的势，那么GaN想要快速发展，数据中心的东风不能错过。

随着人工智能的市场爆火，许多厂商将目光转向工业市场，其中数据中心为关键场景。ChatGPT已掀起AI云端服务器建置浪潮，GaN将助力数据中心降低运营成本，并提高服务器运行效率。

集邦咨询预估，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。

source：TrendForce 集邦咨询
英诺赛科作为GaN功率元件市场领先厂商，现在开始敲响了GaN功率元件应用于数据中心的大门。
（文：化合物半导体市场Morty整理）