EPC的新型GaN FET面向人工智能和先进计算
来源:化合物半导体发布时间:2023-10-09978浏览
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1 kW、48V/12V LLC转换器的功率密度为5130 W/in3
EPC宣布推出一款48V/12V LLC转换器,专为高密度48V服务器电源和DC-DC转换器而设计。
EPC9159参考设计的封装较小,仅为17.5 mm x 22.8 mm,而其功率为1kW,功率密度为5130 W/cm3。在初级电路和次级电路中采用开关频率高的GaN功率开关,便可实现这一点。
EPC9159设计中使用的电源拓扑基于LLC拓扑。应用的LLC由初级全桥、固定比率平面变压器、次级中心同步整流器组成。初级全桥使用4个EPC2619,即额定电压为80V的3.3mΩGaN晶体管,次级使用6个EPC2067,即额定电压为40V的1.3mΩGaN晶体管。
电流为25A时,EPC9159的功率级效率达到98%,电流为83A,电压为12V时,其满载效率达到96.2%。该设计非常适合人工智能和高级游戏等高密度计算应用。
EPC首席执行官Alex Lidow表示:“eGaN FET和eGaN IC的开关快、尺寸小、效率高,可为先进计算应用提供功率密度最高的解决方案。EPC9159是一种理想解决方案,可满足人工智能日益增长的电源需求,并为先进计算应用所需的新型高密度、高效率服务器提供支持,使其输入电压向48V过渡。”
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