传三星调整减产策略 16纳米DRAM稼动率恢复100%

传三星将逐步减少存储器减产幅度。三星

三星电子（Samsung Electronics）等主要存储器业者，为应对低迷景气，2023年以来积极实施存储器减产措施。不过据传三星在DRAM领域已逐渐恢复生产，NAND Flash则在维持减产基调的同时，以改善高端产品良率为目标。

根据韩媒Alphabiz报导，三星自2023年9月初已恢复16纳米（1z）DRAM生产，稼动率达100%，传将以16纳米DRAM出发，快速减少其他半导体产品的减产规模。

知悉三星的业界相关人士表示，三星认为半导体景气已经触底，因此以16纳米DRAM恢复正常生产为起点，估计未来2~3个月内将采取半导体产能恢复措施。对此三星表示，相关消息无法确认，减产中断和产量恢复相关问题，可在下次财报发布会议中正式确认。

三星曾于2023年第2季财报发布会议中预告，2023年下半将以NAND为中心扩大减产。即便上述DRAM恢复生产消息属实，因NAND需求相较DRAM更加不振，估计不会那么快调整减产策略。韩媒ZD Net Korea便指出，三星在积极减产NAND的同时，将目标放在改善高端产品良率。

三星电子自2023年11月开始量产八代V-NAND，但据悉量产初期良率并不理想，2023年上半低于50%，目前则上升至60%左右。业界相关人士表示，三星八代V-NAND良率每个月皆持续上升，虽然尚未步入正常水准80~90%，但改善速度相当快。

责任编辑：张兴民