超25亿、11家企业！他们在发力SiC/GaN

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今年下半年以来，中国台湾及韩国加快了碳化硅/氮化镓的步伐，车规SiC电控、生产线建设及融资等不断有新的动作，“行家说三代半”今天就为大家盘点一下。

康舒、积亚、华旭等

车规SiC新品、项目扩产...

据”行家说三点半“不完全统计，下半年以来，台湾地区SiC企业在衬底、外延及器件等环节均有新进展：

●康舒展示800V以上车规SiC产品

9月5日，据台媒报道，康舒科技携旗下SiC产品现身德国国际车展。

康舒展示的产品包括900V SiC直流转换器以及800V 250kW SiC电机驱控器。

其中，900V SiC直流转换器是全球第一款900V高压产品，运用碳化硅半导体技术制成，并于2021年成功量产，供货予美国新兴豪华车厂销售全球。

另一项800V 250kW SiC电机驱控器是康舒最新研发产品，此款产品集结软硬件技术，基于过去SiC产品的成功经验，充分发挥SiC功率器件的优势，实现更高电压、更大功率和更高效能的全新水平。

●华旭硅材扩产SiC外延

9月4日，据台媒报道，华旭硅材的碳化硅外延片产线已进入试量产及调整阶段，预计于今年第四季度投入量产，2024年Q1产能将达2.4万片/年；并期望在明年第四季将年产能倍增达到4.8万片。

据介绍，今年7月，华旭投资1.5亿元新台币（约3400万人民币）引进德国Epi设备（6/8吋兼容），预计9月试量产，10月有望量产。现阶段华旭正在进行外延片验证环节，已锁定大陆、日本、韩国及本土几家大厂送样验证。

●积亚半导体SiC无尘室启用

8月15日，台亚旗下的积亚半导体举办了无尘室启用仪式，首个机台搬入，未来将专门生产碳化硅晶圆及功率半导体，预计将于2024年第三季度量产。

据悉，积亚半导体于2024年第二季度完成产品验证，同年三季度进入JBS相关元件量产、四季度进行DMOS元件相关产品验证，预计在2023年第四季前完成 6吋碳化硅月产能3000片的建设，2024年第一季试产，后续产能将提升至每月5000片。

●晶成半导体扩充10倍SiC产能

7月18日，据台媒报道，台湾晶成半导体计划扩产，计划将SiC衬底产能扩充10倍。

今年2月，晶成半导体增购了一批碳化硅长晶设备，设备量将陆续扩到50台，而他们第一阶段规划总计要扩到100台，加上厂房兴建等，第一阶段总资本支出估6.5亿新台币（约1.5亿元人民币）。

●台湾投6.5亿建GaN产线

7月6日，据台媒消息，中国台湾经济部近日宣布，将斥资28亿新台币（约6.48亿人民币）投资一家晶圆代工厂，在新竹科学园区增设氮化镓器件及砷化镓器件自动化产线。

据悉，该晶圆代工厂具备成熟的硅基半导体代工经验，并致力于开辟化合物半导体产业的新布局，但目前未披露该代工厂的更多信息。

此外，该GaN与GaAs的产线建设，还将在厂房屋顶装置太阳能板，有效提升绿电使用比例，逐步落实减碳排。

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IVWorks、STI等

8英寸、新技术、IPO...

除台湾地区外，同一时段，韩国在第三代半导体领域也十分”活跃“，涉及8吋项目、16亿扩产、先进技术等。

●Wavis建GaN射频项目

9月1日，据韩媒报道，韩国国防部门宣布与民营氮化镓企业Wavis联手建设GaN 射频项目，以用于国防、 5G 和 6G 的基础设施。

据介绍，Wavis专注于设计和开发射频（RF）相关化合物半导体和应用模块，这些产品用于雷达等航空航天和国防系统、5G 通信等无线通信、ISM（工业、医疗和科学）频率和广播等领域。目前，该公司已完成约146 亿韩元（约8000万人民币）E 轮投资。

●KERI转让SiC离子注入技术专利

9月7日，韩国电工技术研究院（KERI）宣布，他们与匈牙利设备企业SEMILAB签订了“SiC功率半导体离子注入及其评估技术”技术转让协议。

KERI表示，“离子注入技术可以通过增加SiC器件中的电流，来取代昂贵的外延片，从而大大降低工艺成本，这项技术有望提高碳化硅功率半导体的价格竞争力，并极大地促进大规模生产。”

作为这项离子注入技术的受让方，SEMILAB预测，通过此次技术转让，他们将能够实现高质量SiC的标准化。SEMILAB计划利用 KERI开发的专用设备，来评估SiC功率半导体的离子注入工艺。

●IVWorks推进IPO进程

8月30日，据韩媒报道，韩国氮化镓外延企业IVWorks在今年上半年成功吸引了20亿韩元（约1100万人民币）规模的融资资金，将在明年推进首次公开募股（IPO）。

据”行家说三代半“此前报道，去年1月，IVWorks收购了圣戈班的氮化镓晶圆业务，成功将4、6英寸氮化镓晶圆量产技术内部化。目前，IVWorks 是韩国唯一能够生产 4、6 和 8 英寸氮化镓外延的企业。

●MEMS成功研发GaN二极管

8月30日，韩国MEMS宣布，他们已成功开发出使用氮化镓材料制造的二极管器件。

MEMS 基于自身的氮化镓工艺技术和专有知识，通过国家政府项目开发出了基于氮化镓的二极管器件，并通过各种器件和专有工艺设计，证明了在更宽的频率和电压范围内开发比现有商业产品具有更高性能和可靠性的大功率器件的可行性。

未来，MEMS 计划提供设计和代工工艺服务，以大幅缩短GaN器件的开发周期。

●STI投资超16亿建设6&8吋SiC厂

8月22日，STI宣布将在釜山市建设一个年产3万片SiC晶圆的新工厂，以支持韩国车规SiC的本土供应。

据介绍，STI 将投资 3000 亿韩元（约16.4亿人民币），在釜山功率半导体细分专业园区建立SiC材料生产工厂。该项目的一期工程占地超 16000 平方米，预计明年下半年建成。届时，该项目将年产3万片 6 英寸碳化硅衬底。

从 2025 年起，STI 将购置11.5万平方米的土地以扩建8吋线，利用自身设备批量生产 8 英寸碳化硅晶锭和衬底。

●浦项市建8吋SiC晶圆相关项目

8月20日，据韩媒报道，韩国浦项市计划建立全球领先的功率半导体技术合作体系，以开发8英寸SiC晶圆平台。

据悉，浦项市Postech纳米融合技术研究所已与德国弗劳恩霍夫研究所签署了协议备忘录（MOA），双方将共同致力于开发SiC MOSFET工艺平台，未来将应用于航天航空、电动汽车和能源等多个行业。

目前，该项目总计获得了100亿韩元（约5440万人民币）的资金资助，其中90亿韩元为韩国政府资助，建设期限为2023年至2027年，为期五年，由Postech纳米融合技术研究所牵头建设。

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