【规模】成都上半年AI产业规模达424亿元；芯至科技完成近亿元天使轮融资；华天科技L-PAMiD SiP封装助力国产射频模组突围

1.成都：上半年AI产业规模达424亿元，同比增长36.9%

集微网消息，8月6日，成都市政府官网发布消息，上半年成都人工智能产业规模达424亿元，同比增长36.9%。

成都布局人工智能产业由来已久，产业规模发展持续壮大。

2020年，科技部批复支持成都建设国家新一代人工智能创新发展试验区。2021年，工业和信息化部印发通知，支持创建成都国家人工智能创新应用先导区。

据介绍，2022年成都市人工智能产业规模为616亿元，位列全国第7，产业增速位居全国第1，综合实力排名全国第6。

据成都日报报道，8月4日下午，市经信局市新经济委人工智能产业处相关负责人向记者透露，截至8月4日上午，2023年度算力券已发放235万元。算力券开启申领以来接到了很多企业咨询，但由于不少企业使用的不是国产生态，需要进行适配迁移，因此只能明年再申请使用算力券，这也说明，推进算力产业自主可控迫在眉睫。

近日，《成都市加快大模型创新应用推进人工智能产业高质量发展的若干措施》发布，提出强化智能算力供给，涵盖推动算力基础设施建设、推进算力产业自主可控等要点。

推动算力基础设施建设。引导国家超算成都中心、成都智算中心合理扩容，布局多种计算单元集成、混合精度的通用智能算力，配置成熟易用的人工智能全栈运行环境，加快建成国家新一代人工智能公共算力开放创新平台。引导现有以存储备份服务为主的数据中心向以智能计算服务为主的先进数据中心转型，推动数据中心转型升级。积极参与国家超算互联网、中国算力网等算力网络建设，配合省级部门做好全省一体化算力调度中心建设，为人工智能产业发展提供高效公共算力服务。

推进算力产业自主可控。围绕“算力”“存力”“运力”等关键领域，大力发展芯片、服务器整机、液冷设备等高端硬件，聚力推动存储芯片产业发展，打造具有全球影响力的“存储谷”，支持鲲鹏、昇腾、海光等自主可控芯片部署应用，提高自主研发算力设备比例。加快操作系统、数据库等基础软件研发和本地规模化应用，促进应用软件与国产芯片协同发展。瞄准国产自主可控生态建设，加大与华为等链主企业合作力度，推进共育算力产业主体、共建算力生态孵化平台，打造算力“国产化建设试验地”。

2.芯至科技完成近亿元天使轮融资，与比亚迪电子达成合作

集微网消息，8月4日，芯至科技宣布完成近亿元天使轮融资，由惠友资本、群欣资本联合投资。

芯至科技于2023年正式运营，总部位于上海张江，在西安、北京、广州设有研发分支机构，

致力于高性能计算基础核心技术开发，在指令集（ISA）设计、高性能CPU、GPGPU、Coherence Fabric、HSIO、Chiplet等关键领域掌握核心技术。

据悉，芯至科技由一批长期在项目开发一线的核心架构师和资深专家级工程师组成开发团队，可为客户提供通用高性能计算芯片、通用高性能IP、特定场景定制计算芯片、特定场景定制计算内核IP、BMC定制服务和自动化测试服务。

此外，芯至科技官宣，近日与比亚迪电子达成业务合作，联合开发高性能服务器系统。未来双方会加强在大算力领域的合作，探索云、边、车、端各种场景的合作机会。

3.国产射频前端模组高端化进程加速，华天科技L-PAMiD SiP封装助力国产射频模组突围

过去十多年来，手机通信功能发生了翻天覆地的变化。一方面通信制式从针对地区和运营商的特定设计向“全球通”设计转变，另一方面通信技术从2G向5G演进，得以实现这一巨大变革的原因正是功率放大器（PA）、滤波器、天线、开关和低噪声放大器（LNA）等支撑通信功能的射频器件的不断升级换代。随着手机智能化提升，需要支持的通信频段、交互通道增多、带宽变大，对射频前端器件的数量和功能要求大幅提升，手机中的射频前端方案日益集成化、小型化、模组化，高集成度射频前端模组已是大势所趋。

受5G渗透率提升的驱动，Yole数据显示射频前端市场规模在2021年达到了190亿美元，预计到2028年将增长至269亿美元；进入2022年后，全球消费电子市场持续低迷，射频前端市场基本与2021年持平，但中长期来看，这一市场仍然充满前景。

近几年在国内庞大的终端市场需求、国产替代浪潮及资本加持下，中国射频前端产业发展步入快轨，一批具有代表性的射频前端企业不断涌现。不过，虽然5G技术的应用进一步拉升了射频前端器件市场空间，但国内厂商一时间难攻破由Skyworks、高通、Qorvo、博通与村田等国际射频巨头建立的市场壁垒，在行业进入下一个高速增长周期前，本土射频前端产业链从设计、制造到封测，向模组化、高端化市场进阶的需求日益迫切。

国产射频前端产业迈向高端的壁垒——模组化

根据集成方式的不同，射频前端模组主集天线射频链路包括FEMiD（集成射频开关、滤波器和双工器）、PAMiD（集成多模式多频带PA和FEMiD）、L-PAMiD（LNA、集成多模式多频带PA和FEMiD）等；分集天线射频链路可分为DiFEM（集成射频开关和滤波器）、LFEM(集成射频开关、低噪声放大器和滤波器)等。

分集天线射频链路

由上图射频前端模组的组成结构不难看出，L-PAMiD模组是集成了目前常见的分立多模多频PA、LNA、射频开关、滤波器以及双工器等独立射频器件的射频前端模组，也是目前集成度最高、设计难度最大、封装工艺最复杂的射频前端模组。这类高端射频模组的市场，目前主要由美商博通、Qorvo、Skyworks、高通（RF360）等厂商占据。

M/H LPAMiD开盖图 来源：Qorvo

从Qorvo公司M/H L-PAMiD模组可见，该类产品集成了17颗BAW，2颗GaAs HBT，以及6颗SoI和1颗CMOS控制器，设计以及封装技术难度堪称射频前端领域最高。相比于单颗分立PA芯片的价格已经降到几十美分，这类复杂模组的售价可以达到3~4美元甚至更高。因此射频模组是未来射频前端器件的必然之路，有望成为竞争的主战场。

Yole预测，到2026年，射频前端模组市场规模将达到155.38亿美元，约占射频芯片市场的71.70%。其中接收模组市场规模将达到33.39亿美元，发射端PA模组市场规模可达到94.82亿美元。目前智能手机中高端机型多使用集成度高的PAMiD/L-PAMiD方案，但中低端机型也开始配置L-PAMiD，方案呈现下沉趋势。

观察国内射频前端产业，当前已经在PA、开关、天线等领域取得了令人欣喜的成绩，例如在2G至4G的单颗分立PA上国产厂商占据了全球市场的主导地位，5G PA市占率也在稳步提升，射频开关/LNA领域更是诞生了全球龙头企业。

但模组方面，即使是简单的5G PAMiF和LFEM模组领域，国内也才起步量产2年左右，由于设计集成难度大且受制于没有自己的SAW 和BAW技术，大部分企业只能从国外大厂采购滤波器，这又面临供应受限的可能，因此国内几家领先的射频公司也才刚起步研发和小量试产L-PAMiD SiP模组，相比于上文提及的4家美国射频巨头公司落后了5年以上的时间。

可喜的是，国内众多射频前端企业早已聚焦于研发生产SAW和BAW滤波器，在研发和工艺提升方面都取得了重大的进步，开始有能力为国内射频前端模组的设计、研发和生产提供保障。虽然在性能指标和工艺制程方面与国际巨头仍有不小的差距，但是已经可以满足基本要求，模组设计公司也要在实际使用过程中不断和国内滤波器厂家进行合作试用、找差、改进、再试用的循环推进，共同保障国内高端射频PAMiD SiP模组的设计研发和生产供应，在努力追赶国外巨头技术的同时，做到关键器件的国产替代和自主可控。

射频前端模组设计和封测挑战与日俱增

射频前端模组作为高度集成的器件，核心在于需要极强的系统整合能力，对整个模组架构、设计、封测都提出了更高的要求，包括简化设计、小型化、降低能耗、降低解决方案成本、提高系统性能等诸多方面。除了设计，射频前端模组对封测能力也提出了更高的要求。

例如2022年华天科技率先与国内2家射频设计公司合作研发的L-PAMiD模组，产品设计要求在更小的尺寸上实现产品功能的高度集成带来了产品内部的高密度贴装，其中被动元器件间距、WLP与die间距、die to die间距等都在突破现有封装设计规则，这给SMT贴装、清洗、塑封等制程带来了巨大的挑战，GaAs芯片容易发生crack、SAW（WLCSP封装）滤波器的bump void 和虚焊问题，以及挑战目前SMT贴装极限能力的008004（公制0201）MLCC器件的贴装和塑封完全填充，都是L-PAMiD模组封装过程中要解决的工艺难点。

来源：Yole

此外，对于SiP而言，由于系统级封装内部走线的密度非常高，普通的PCB难以承载；而IC载板的多层数+低线宽线距则更加契合SiP要求，更适合作为SiP的封装载体。为了追求产品极致性能和高可靠性，华天科技协同客户开发的L-PAMiD模组采用了coreless工艺的8层基板，要求基板侧面有多层漏铜来增强EMI Shielding电磁屏蔽性能，且模组背面四角焊盘使用绿油开窗增大焊盘面积提升产品板级可靠性；这些特殊设计在封装过程中产生诸工艺难题，如成品切割时的基板绿油分层、侧面铜层氧化/变形、Sputter溢镀和镀层分层等，给产品封装带来了很大的工艺难度。

华天科技指出，从最简单的分集模组DiFEM、LiFEM到集成度最高的L-PAMiD等主集模组，实现的功能越来越多，也要求越来越多的分立器件集成在一个模组中，而且手机要求模组的尺寸越小越好，这对产品设计带来了极大地挑战，需要不断突破现有的设计规则上限。此外，模组中集成的不同滤波器采用了不同的材料和制造工艺，包含了LTCC、WLP和CSP三种主要的封装形式，在模组封装中都面临不同的挑战。比如LTCC主要需解决焊接后倾斜和塑封完全填充的封装难题；WLP主要需要解决bump虚焊和bump void的封装难题；CSP则最主要是解决背面焊盘焊接后的锡膏空洞过大和塑封完全填充的难题。

因此随着模组中器件的密集度更高，如何保证封装中的贴装精度、焊接后彻底清洗干净、塑封完全填充严实、EMI shiedling的全覆盖和结合性、产品可以经受严格可靠性考核等都是模组封装面临的重要考验。

华天科技DSMBGA封装量产在即，助力国产射频前端更进一步

5G到来之后，手机终端需要支持更多的频段。并且5G定义了3GHz以上、6GHz以下的超高频（UHB）频段，对射频前端性能提出了更高要求，单部手机中的射频前端模块数量不断增加，以往射频前端模组所采用的单面SiP逐渐无法满足有限空间的小型化要求，DSMBGA（Double Side Molding BGA）双面塑封BGA SiP工艺走上舞台，并逐渐成为行业技术的未来发展方向。

DSMBGA主要用于射频前端模组领域，将原先的单面SiP模组做成双面后，模组的外形尺寸减少20%以上，产品厚度只增加不到0.2mm，而且将多个频段集成在一个模组实现，可以更好地满足手机对模组更小尺寸、更全性能的要求。

伴随着国产射频前端模组向最高集成度稳步迈进，国内可与之匹配的先进封装技术的同步发展也迫在眉睫。

华天科技自2015年开始射频PA产品的封装技术研发和生产工作，客户覆盖国内主要PA设计公司。从早期的2G/3G/4G PA，到近两年的5G PA模组封装都保持着国内封装厂商的领先地位和主要市场份额。

在射频前端模组领域，华天科技早在2019年协同客户一起进行5G L-PAMiF和L-FEM模组套片的封装工艺研发和工程样品试制。针对GaAs FC die的特殊材质和bump结构易发生UBM crack、bump crack的高风险点，华天科技基于内部仿真数据指导，和多年单颗分立射频器件封装经验积累，从基板设计、塑封料选择、超薄钢网小颗粒锡膏的连续稳定印刷、化学水洗工艺匹配、塑封工艺优化等多个技术难题进行了攻关突破，成功保证了5G L-PAMiF和L-FEM模组在国内率先量产，目前已经累计出货过亿颗，未发生产品质量异常客诉。客户产品性能优异，比肩国际竞商产品，也率先进入三星、vivo等手机品牌供应链。

华天科技射频前端模组产品技术路线图

继5G L-PAMiF模组的研发生产保持国内封装厂商领先地位的基础上，基于过去3年积累的量产经验，华天科技于2022开始在L-PAMiD模组上集中工程力量进行技术攻关，通过大量的工程DOE实验，成功解决了前文列举的各项封装工艺难题，封装产品通过了客户的性能测试和多次可靠性考核，仅用时5个月就实现了产品从NPI build到100K再到KK级的量产规模，产品封装测试良率、可靠性均满足客户要求，再次取得了射频模组封装工艺研发和规模量产在国内封装厂商的领先地位。

2023年以来，华天科技与多家射频设计公司联合进行DSMBGA产品的封装工艺研发，封装技术的主要挑战在于如何保证塑封后的基板翘曲平整度、密集器件和滤波器、die的塑封完全填充、strip grinding精度控制和防止die crack、激光烧球准确度控制、EMI共形屏蔽和分腔屏蔽实现等等。目前，华天科技已基本解决以上封装工艺难题，双面塑封产品线已经建立，6月底已经完成国内某客户首个产品工程样品的客户送样，年内有望实现量产。

据悉，华天科技目前正和客户合作研发迄今为止国内封装厂最复杂的DSMBGA产品，在技术攻关和量产实现后，华天科技不仅将持续保持国内射频模组SiP封装的领头羊地位，还将极大地刺激和鼓励国内射频前端设计公司向双面塑封方向投入研发，助力客户追赶国外射频巨头如Skyworks、Qrovo、博通等企业，为国产射频前端产业添砖加瓦！

本周消息，“组合拳”政策效果不断显现，下半年经济将保持稳定向好态势；四部门对无人机实施出口管制；无锡、上海市闵行区莘庄镇、浙江临海等地出台集成电路专项政策；我国唯一CPO技术标准发布；粤芯半导体三期项目主厂房封顶；景嘉微GPU产业项目落户无锡高新区；复现韩国室温超导，中国多所高校公布实验结果……

热点风向

国家自然科学基金委发布集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划项目指南

7月31日，国家自然科学基金委员会发布集成芯片前沿技术科学基础重大研究计划2023年度项目指南。

本重大研究计划针对集成芯片在芯粒数量、种类大幅提升后的分解、组合和集成难题，围绕以下三个核心科学问题展开研究：芯粒的数学描述和组合优化理论，大规模芯粒并行架构和设计自动化，芯粒尺度的多物理场耦合机制与界面理论。拟资助培育项目10-20项，直接费用的平均资助强度约为80万元/项，资助期限为3年；拟资助重点支持项目7-10项，直接费用的平均资助强度约为300万元/项，资助期限为4年。

国家发改委：“组合拳”政策效果不断显现 下半年经济将保持稳定向好态势

8月4日上午，国家发展改革委、财政部、人民银行、税务总局联合召开新闻发布会，介绍“打好宏观经济组合拳，推动经济高质量发展”有关情况。

国家发展改革委副秘书长、综合司司长袁达表示，随着“组合拳”各项政策效果不断显现，下半年经济将在上半年持续恢复的基础上，保持稳定向好态势。同时袁达指出，强化国家战略科技力量，加强创新能力建设，发挥科技型骨干企业引领支撑作用，组织更多企业牵头和参与关键核心技术攻关，推动创新链产业链资金链人才链深度融合。延续实施优化企业创业投资环境、支持突破“卡脖子”问题等阶段性政策。同时，在进一步增强企业科技创新能力、提升产业链供应链韧性和安全水平等方面加强政策储备，不断夯实产业发展基础。

发改委等8部门发布促进民营经济发展28条，提及云计算、AI等

8月1日，国家发改委等8部门发布关于《实施促进民营经济发展近期若干举措》的通知，推动破解民营经济发展中面临的突出问题，激发民营经济发展活力，提振民营经济发展信心。《措施》聚焦促进公平准入、强化要素支持、加强法治保障、优化涉企服务、营造良好氛围五个方面28条举措。例如，提及支持民营企业参与重大科技攻关，牵头承担工业软件、云计算、人工智能、工业互联网、基因和细胞医疗、新型储能等领域的攻关任务。

我国唯一CPO技术标准发布，8月1日实施

7月28日，中国电子工业标准化技术协发布了《半导体集成电路 光互连接口技术要求》等九项团体标准。8月1日，首个由中国企业和专家主导制订的CPO技术标准正式发布实施。

计算机互连技术联盟消息显示，该标准是我国目前唯一的CPO技术标准，同时也是之前CCITA制订的Chiplet标准的衍生标准，对中国集成电路行业突破摩尔定律，布局技术自主的硅光芯片战略，实现对数据中心、云计算以及人工智能大模型带来的爆发性算力需求的有效应对，具有里程碑意义。该CPO标准界定了交换机和服务器中所使用的共封装收发器系统架构，规定了与共封装光收发器相关的交换机与服务器网络接口卡的总体布局、光学特性、电学特性、数字管理接口、机械结构等技术要求。

四部门对无人机实施出口管制 大疆回应：严格遵守

7月31日，商务部、海关总署、国家国防科工局、中央军委装备发展部发布关于对无人机相关物项实施出口管制的公告。公告显示，为维护国家安全和利益，经国务院、中央军委批准，决定对特定无人驾驶航空飞行器或无人驾驶飞艇相关物项实施出口管制。

据环球时报消息，大疆对新出台的出口管制做出回应：“大疆作为一家全球化企业，在出口管制领域始终保持严谨负责的态度。大疆一直严格遵守并执行中国及其他业务所在国或地区所适用的出口管制法律法规。”

多地发布集成电路专项政策

本周，无锡、上海市闵行区莘庄镇、浙江临海等地发布集成电路专项政策。

无锡：7月31日，无锡市人民政府发布《关于加快建设具有国际影响力的集成电路地标产业的若干政策》。本次发布的产业新政是在2016年无锡首次发布集成电路产业专项政策基础上的第3次迭代，堪称是专项政策3.0版本，从政策的系统性、针对性、创新性和补贴力度四个方面实现了优化升级。补贴力度方面，新政在原有基础上，增加了资金总量，加大了补贴比例，提高了额度上限，将原有的专项资金提高了3倍，增加至3亿元。

上海市闵行区莘庄镇：7月26日，上海市闵行区莘庄镇人民政府印发《关于进一步促进莘庄镇集成电路产业高质量发展的实施意见》，以进一步优化集成电路产业发展生态，提升产业创新能力和质量效益，全面推进莘庄集成电路产业高质量发展，加快打造 “1+2+N”产业集群新高地。对首次落户莘庄、经营期满一年的集成电路相关企业，经认定给予一次性奖励。按企业研发投入的10%予以补贴，最高不超过300万元。

浙江临海：近期，浙江临海市人民政府办公室出台《关于促进集成电路产业高质量发展的实施意见》，提出要培育产业集群、支持企业壮大、构筑产业生态。对新引进投资规模1亿元以上的集成电路装备、制造、封测和材料类企业，按照设备技术投资额（含洁净间建设费用）20%给予补助，最高补助2000万元。鼓励银行设立集成电路专项贷款和面向集成电路产业的金融产品。对重点项目利用金融机构非政策性贷款的，给予同期贷款市场报价利率（LPR）50%的利息补贴，期限3年，单个项目最高补贴1000万元。

复现韩国室温超导，中国多所高校公布实验结果

今年7月，韩国的物理学家发表论文声称，发现世界首个室温常压超导体——LK-99，这也吸引了全世界的目光。此后，全球多个实验室开始验证、复现。

华中科技大学：华中科技大学材料学院团队成功首次验证合成了可以磁悬浮的LK-99晶体，该晶体悬浮的角度比Sukbae Lee等人获得的样品磁悬浮角度更大，有望实现真正意义的无接触超导磁悬浮。

东南大学：8月3日凌晨，东南大学物理学院教授发布视频称，其团队在110 K(-163.15℃)以下，常压观测到LK-99材料出现零电阻。随后，该团队对前述观测到零电阻的样品进行了迈斯纳效应的测量，“就是完全抗磁性测量，但是我们并没有在磁性测量上面观测到这个完全抗磁性。”

视频的最后指出：“我们成功地在LK-99材料下面观测到110K下的零电阻，但这并不是室温超导的证据。它是否有室温超导，还有待进一步的探索和测量，我们的团队会继续在这方面努力。”

园区及项目动态

南京浦口半年成绩单：集成电路产业产值同比增36.9%

今年上半年，该区集成电路产业实现产值104.9亿元，同比增长36.9%，继续保持南京市第一；数字经济核心产业营收138亿元，同比增长11.2%。

浦口地标鲜明，是创新驱动的产业“高地”。当前浦口正全力打造集成电路、高端交通装备、文旅健康、数字经济和人工智能等产业集群。

粤芯半导体三期项目主厂房封顶 明年初工艺设备搬入

7月28日，粤芯半导体官微消息显示，粤芯半导体新建12英寸集成电路模拟特色工艺生产线项目（三期）主厂房顺利封顶。三期项目将进入洁净室和动力安装建设阶段，预计明年年初工艺设备搬入。

三期项目在一、二期项目的基础上，持续瞄准工业电子和汽车电子领域，在已有技术平台基础上重点聚焦工艺平台质量规格的精进；紧握粤港澳大湾区产业终端优势，深度与国内工业芯片终端用户和汽车终端厂家及一级供应商合作，给客户提供更优、更高品质的产品。粤芯半导体将继续加快推动总投资162.5亿元的三期项目建设，力争在2024年全面建成并完成投产。

景嘉微GPU产业项目落户无锡高新区

近日，景嘉微无锡GPU产业项目签约仪式举行，落户无锡高新区。景嘉微无锡GPU产业项目全部建成投产后，计划产值将超50亿元。无锡市副市长周文栋表示，景嘉微电子在国内图形处理芯片设计领域处于龙头地位，此次企业把最核心的研发团队、最重要的战略布局落户无锡高新区，将进一步助力无锡建设集成电路产业高地。

积塔半导体特色工艺生产线建设项目二阶段钢结构完成首吊

中建八局发展建设公司30日消息显示，近日，积塔半导体特色工艺生产线建设项目（二阶段）钢结构顺利完成首吊，项目建设迈入新阶段。该项目总建筑面积22万平方米，建设周期约600天。项目建成后，将进一步提升国内芯片制造技术能级，真正打破国产汽车芯片制造技术瓶颈，解决“卡脖子”难题。

积塔半导体特色工艺生产线项目作为“在建”项目连续上榜2022年上海市重大建设项目清单、2023年上海市重大工程清单。

20亿元富乐德半导体产业项目传感器子项目完成签约

8月2日，富乐德半导体产业项目传感器子项目正式完成签约。富乐德半导体产业项目总投资120亿元，主要建设12英寸抛光片生产线、传感器等项目，其中12英寸抛光片生产线项目已于7月正式开工建设。本次完成签约的传感器子项目总投资20亿元，主要建设温度传感器制品生产线，产品将应用于无人驾驶汽车、工业和医疗等领域。

敏声-赛莱克斯北京8英寸BAW滤波器联合产线量产仪式举行

2023年7月31日，武汉敏声新技术有限公司战略融资暨敏声-赛莱克斯北京8英寸BAW滤波器联合产线量产仪式举行。

武汉敏声首批量产的多款BAW滤波器，采用完全自主的结构设计和独具特色的工艺技术路线，具体性能指标实现重大突破，产品性能达到业内先进水平，标志着武汉敏声成功实现高端射频滤波器国产化自主研发及生产。本次BAW滤波器的量产投产和新品发布，为国内射频滤波器行业注入一针强心剂。

安徽省新一代信创产业基金签约，规模20亿元

7月26日，安徽省新兴产业发展基金子基金安徽省新一代信创产业基金签约仪式举行。

安徽省新一代信创产业基金规模20亿元，由省新兴产业发展基金、蚌埠市、广发信德共同发起。基金将聚焦于安徽省集成电路、新型显示、智能终端、工业互联网、5G/6G、空天信息、云计算和大数据、软件和信息技术服务、量子科技等领域开展投资布局，助力安徽省新一代信息技术产业发展。

横琴粤澳深度合作区产业投资基金设立，规模100亿元

近日，横琴粤澳深度合作区出资设立了“横琴粤澳深度合作区产业投资基金”，基金规模100亿元，管理人为中金资本运营有限公司，引导基金将重点投向科技研发和高端制造产业、现代金融产业等。

根据《横琴粤澳深度合作区鼓励类产业目录》，科技研发和高端制造产业包括集成电路设计，集成电路先进封装与测试，特色工艺研发与制造，半导体设备及关键材料研发与制造，集成电路芯片设计平台（EDA工具）、相关软件研发、配套IP库；电子元器件、计算机、信息、生物、新材料、环保、机械装备、精密仪器设备等先进制造技术开发与制造；通用或高端通用处理器、储存器和操作系统集成开发环境等基础软硬件及其相关测试验证工具的研发与制造等。

国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心项目通过验收

7月31日，集成电路特色工艺及封装测试制造业创新中心能力建设项目验收会举行。

据悉，本项目通过开展特色工艺及封装测试尤其是三维高密度系统集成前瞻技术研发的关键共性技术研发，构建国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心的基本架构和核心团队，为国内封测产业技术升级与中小企业的创新创业提供持续支撑，将中心建设成为高密度三维系统集成先导工艺平台、封装设计服务平台、网络化测试服务平台和知识产权平台的复合型创新研发机构。项目成果面向行业关键共性技术取得的突破，起到了较好的示范和引领作用。

企业动态

华为鸿蒙HarmonyOS 4系统发布：AI引擎增强 新增实时窗功能

华为开发者大会HDC 2023暨HarmonyOS 4发布会于8月4日召开，全新的HarmonyOS 4系统正式发布。截至目前，鸿蒙生态设备已达7亿台，HarmonyOS开发者人数超过220万。

新版系统共有几大升级：全新界面、个性主题；全新华为方舟引擎使得性能提升20%，续航增加30分钟；通知中心更新，新增“实时窗”功能；小艺语音助手AI引擎大升级；安全管控更强。

小鹏汽车自动驾驶副总裁吴新宙确认离职，传或加入英伟达担任高管

此前业内有消息称，小鹏汽车自动驾驶副总裁吴新宙将离职，8月2日晚，小鹏汽车创始人何小鹏在微博发文，证实了这一消息，表示尊重吴新宙要回到美国的决定，并对他表达赞许和祝福。何小鹏发布微博之后，吴新宙也在微博撰文表达感谢。李力耘博士将接手吴新宙的工作，接管小鹏汽车自动驾驶团队。

关于吴新宙的新工作，何小鹏透露他将赴美成为全球知名公司的最高等级华人高管，并继续在芯片等多方面与小鹏深度合作。业内消息称，吴新宙将前往英伟达，担任全球副总裁这一级别的职位，向黄仁勋汇报。

芯驰科技与三星半导体签约，加强车规芯片领域深度合作

8月2日，芯驰科技与三星半导体联合宣布，双方达成长期战略合作关系，加强在车规芯片领域的深度合作。

据悉，为进一步推动车规半导体的系统集成和适配项目，芯驰科技将在全场景车规芯片的参考方案开发中引入三星半导体的高性能存储芯片，共同推进双方在车载领域的技术创新与突破。

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