新能源汽车及充电桩中IGBT的应用及地位

IGBT是一种常用于高压、高电流的功率半导体器件，具有高开关速度、低导通压降和高短路耐受能力等优点，在充电桩中广泛应用；还可以通过PWM（脉宽调制）技术进行精确控制，以实现高效的电能转换和电能传输，并提供稳定、可靠的电力输出给电动车辆。

应用在充电桩上的IGBT主要用于控制充电桩输出电流的开关，以实现对电动汽车进行充电；可以根据控制信号的输入来控制其通断状态，并且能够快速地进行开关操作，从而控制充电桩输出电流的大小和稳定性。

在充电桩中，充电电流需要根据电动汽车的需求进行调节，以达到快速而稳定的充电效果；而IGBT的可调电流特性正好满足了这一需求。通过控制IGBT的开关状态，可以实现对充电电流的精确控制，从而满足不同电动汽车的充电需求。

此外，由于充电桩需要处理较高的电压和电流，所以IGBT还需要具备高耐压和大电流承载能力的特点；IGBT的结构设计和材料选择，使得它能够承受较高的电压和电流，从而保证充电桩的安全和可靠性。

以下是IGBT在充电桩中的应用：

充电控制：IGBT可以作为充电桩中的主要开关装置，用于控制输入和输出的电流。它可以实现快速、精确的充电控制，以适应不同类型和需求的电动车。

电池充电：IGBT可以将交流电转换为直流电，并通过控制电流大小和时间来充电电动车的电池。IGBT的高效性和快速开关特性可减少能量损耗，并提供更稳定和可靠的充电过程。

充电保护：IGBT还可以监测电池充电状态，并实施保护措施，以防止过充、过放和过流等问题。它可以检测并响应异常情况，以确保充电过程的安全性和可靠性。

通信和控制：IGBT在充电桩中还可以用于与外部系统进行通信和控制。它可以与电动车辆通信，获取和传输充电相关的信息，例如电池容量、充电时间和充电速度等。

台湾茂矽电子成立于1987年，晶圆制造长期聚焦在功率半导体元件及电源管理IC领域，以MOS管、IGBT，模拟芯片、二极管等产品为主，降低晶圆导通电阻，通过六寸晶圆降低IGBT製造成本并得到较高的良率；打破国外垄断现象。

目前市面上出现的晶圆直径主要是150mm、200mm、300mm，分别对应6英寸、8英寸、12英寸的晶圆；国产芯片在晶圆的产能上，也就是在6寸上有优势；

全球10大8”晶圆厂約有40座,其中33座在亚洲(台湾15座,中國8座)在2019-2021产能仅扩厂5%,仍不足以满足后续电动车与工业控制市场,导致IGBT持续涨价。

由工采网代理的台湾茂矽电子推出的IGBT晶圆是有几款1200V、FS工艺(15A、25A、40A、50A、75A)6寸IGBT晶圆片；1200V壕沟和现场停止技术；低开关损耗；正温度系数；简单的平行技术。

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