东芝推出650V SiC肖特基势垒二极管

新器件采用第三代工艺技术以提高效率

东芝宣布，将推出12款基于第三代最新技术的650V SiC肖特基势垒二极管(SBD)。这些新器件适用于注重效率的工业设备应用，包括开关电源供应、电动汽车(EV)充电站和光伏(PV)逆变器。

这些新器件被称为TRSxxx65H系列，采用了新型肖特基金属。第三代SiCSBD芯片优化了第二代产品的结势垒肖特基（JBS）结构，从而降低了肖特基界面的电场，并减少了漏电流，从而提高了效率。

第三代器件效果突出，具有1.2V（典型值）的低正向电压(VF)。这意味着与第二代产品相比，低正向电压降低了17%。全新第三代产品改善了VF和总电容电荷(QC)间的抵换，而TRS6E65H通常为17nC。

此外，与第二代产品相比，VF和反向电流(IR)比有所提高，TRS6E65H的典型IR 值为1.1μA。以上所有改进都降低了功耗，并有助于提高终端设备的效率。

TRSxxx65H系列中的器件能够承受高达12A的正向直流电流(IF(DC))，以及高达640A的方波非重复浪涌电流IFSM。其中7款新器件采用TO-220-2L封装，剩余5款采用紧凑扁平DFN8×8 SMD封装。