GE Research 微电子首席工程师 Emad Andarawis 表示，使用 SiC MOSFET 实现高温阈值可以为太空探索和高超音速飞行器的传感、驱动和控制应用开辟一个全新的领域。而要打破太空探索和高超音速飞行的新障碍，就需要能够处理极端高温和工作环境的强大、可靠的电子系统。他们展示的可以承受超过 800 摄氏度的 SiC MOSFET，就是实现这些关键任务目标的一个重要里程碑。
GE 的SiC MOSFET可以支持开发更强大的传感、驱动和控制，为太空探索提供新的可能性，并使高超音速飞行器的控制和监测速度达到MACH 5，或超过3500英里/小时，这相当于今天典型的商业客运航班速度的六倍多。
Andarawis 指出，电子行业在采用 SiC 的高温电子产品方面已经取得了许多令人振奋的发展。NASA展示了能够耐受超过 800 摄氏度阈值的 SiC JFET。长期以来，传统观点认为 SiC MOSFET 在高温下无法提供与 JFET 相同程度的可靠性和耐用性。SiC MOSFET中栅极氧化物的新进展，以前一直是温度和寿命的限制因素，现在已经大大缩小了差距。
Andarawis 和 GE Research最近的演示表明，MOSFET可以扩大可考虑的选项组合。这建立在SiC电子技术领域不断增长的工作基础上，GE航空研究人员正处于领导工作的前沿。该团队目前正在与NASA 合作开展一个项目，应用新型SiC光电二极管技术开发和展示一种紫外线成像仪，以加强对金星表面的太空任务。GE Research 还在洁净室设施中制造 NASA 的 JFET，这是他们为外部半导体合作伙伴所做工作的一部分。
洁净室设施是 GE 在 SiC 研究中的主要焦点。它是一个 28,000 平方英尺的 100 级（通过 ISO 9001 认证）设施，位于 GE 位于纽约州尼斯卡尤纳的研究园区。该设施可以支持从研发到小批量生产的技术，并将技术转移到支持 GE 内部产品或选定的外部商业伙伴的大批量制造。
