Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

业内唯一可同时提供级联型（cascade）和增强型（e-mode）氮化镓器件的供应商

奈梅亨，2023年5月10日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。

Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间），提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装。这些产品可在高电压(<650 V)、低功率的数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中提高电源转换效率，还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计，以实现更高扭矩和更大功率。

Nexperia现还提供采用WLCSP8封装的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封装的150 V (7 mΩ) GaN FET。这些器件适合各种低电压(<150 V)、高功率应用，例如，数据中心使用的高效DC-DC转换器、快速充电（电动出行类和USB-C类）、小尺寸LiDAR收发器、低噪声D类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备（如手机、笔记本电脑和游戏主机）。

在许多功率转换应用中，GaN FET凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率，从而显著降低物料(BOM)成本。因此，GaN器件在主流电力电子市场逐渐得到了广泛应用，包括服务器计算、工业自动化、消费类应用和电信基础设施。基于GaN的器件具备快速转换/开关能力（高dv/dt和di/dt），可在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的开关性能，这得益于极低的Qg和QOSS值，并且低RDS(on)有助于实现更高的功率效率设计。

这些新器件进一步扩充了Nexperia丰富的GaN FET产品系列，适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高电压、高功率应用的级联器件，支持高电压、低功率应用的650 V E-mode器件和支持低电压、高功率应用的100/150 V E-mode器件。此外，Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能，符合工业级的JEDEC标准。Nexperia的GaN器件产品系列不断扩充，充分体现了Nexperia坚守承诺，促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。