博世：拟收购TSI半导体扩大车用SiC产能
来源:芯片大师发布时间:2023-04-271629浏览
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导读：近日据外媒报道，博世计划收购总部位于加州罗斯维尔的美国芯片制造商TSI半导体公司的资产，利用碳化硅芯片扩大其半导体业务。
图：博世德累斯顿晶圆厂
据悉，TSI半导体拥有250名员工，是一家生产专用集成电路（ASIC）的代工厂。目前，其主要在200毫米硅片上大量开发和生产用于移动、电信、能源和生命科学等行业的芯片。
在接下来的几年里，博世计划在罗斯维尔工厂投资超过15亿美元，并将TSI半导体的生产设施改造成最先进的工艺。从2026年开始，第一批芯片将在200毫米SiC晶圆上生产。
博世董事会主席Stefan Hartung博士说：“收购TSI半导体可以让我们在一个重要的销售市场中建立碳化硅芯片制造能力，同时也在全球范围内扩大半导体制造业务。罗斯维尔现有的无尘室设施和专业人员能让我们在更大规模上生产用于电动汽车的碳化硅芯片。”
TSI半导体首席执行官Oded Tal表示：“我们很高兴加入一家在半导体行业拥有广博专业素养的全球运营技术公司。我们相信，罗斯维尔工厂将对博世碳化硅芯片制造业务产生重大影响。”
目前，博世和TSI半导体已达成协议，但将不披露此次交易的任何财务细节。该交易需接受监管机构的批准。
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