大为创芯：DRAM Q3有望反弹，但NAND Flash反弹有难度

当一个市场处于下行趋势时，需要有新的刺激，才能改变市场的走势，在经历近一年大幅下跌之后 ，有哪些行业将给存储产业注入新的活力，改变其走势呢？在近日的2023CFMS闪存峰会上，深圳市大为创新科技股份有限公司(股票代码：002213，下称“大为股份”)旗下存储业务子公司深圳市大为创芯微电子科技有限公司（下称“大为创芯”）首席技术官陈宗廷在接受电子创新网等媒体采访时指出，他认为人工智能、新能源汽车等将带动存储市场反弹。

“人工智能应用主要分为四个流程，感知、运算、学习和生成。运算跟学习会用到非常多的存储，尤其是在学习的过程中，因为要把已知的资料跟算法分别归类去做储存，所以对存储需求很大，这也是大为创芯积极在布局的市场，亦是大为创芯的优势领域，如人脸辨识、智能家居，都是贴近消费者的产品，这个领域是大为创芯有成熟产品的领域。”他解释说，“存储市场，2022年其实就已经很低迷，整个的供给是大于需求的。但是如果反过来看，DRAM各厂家已经确定减产了，所以在23年的三季度DRAM会到达一个供需平衡，然后年底有机会反弹。”

不过他认为NAND Flash反弹有难度，因为NAND flash早就已经供给大于需求了，而且随着新制程的推出，整个flash市场比较难达到一个供需平衡。不过，数字化推动数据中心兴起，在数据中心领域，DRAM跟SSD 的需求量是非常庞大的。所以在国内数据中心带动下，会不会让整个国内市场触底反弹？他认为2023年Q4也许有机会。

此外，他认为在新能源车的带动下，车用存储器也会反弹。而随着chatGPT走热，也会用到大量的内存条和SSD，甚至延伸到消费者终端的嵌入式产品里。

他表示针对这样的趋势，大为创芯为数据中心规划了DDR5内存条，产品有望陆续在2023年第四季度和2024年第一季度量产。在新能源汽车领域，大为创芯会推出新能源汽车专用的DRAM(Low Power DDR/DDR)、eMMC等宽温级产品，布局汽车辅助驾驶360环视领域，目前已经有客户群。

从技术发展趋势来看，PC市场内存条已经从DDR4向DDR5迭代，网通产品也普及了DDR4，而嵌入式存储产品今年有望从DDR3升级到DDR4。一方面原因是DDR3减产导致供给不足，消费者对存储性能要求提升；另一方面，去年疫情影响了消费信心，运营商支出缩减，导致DDR4推广进程被推迟。

“大为创芯会将DDR3和DDR4作为今年推广重点。”陈宗廷表示，“今年公司嵌入式存储的重点还是以网通为应用中心，配合大为股份智能终端事业板块的发展。”
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