【专利解密】京东方LTPO专利缩短屏幕边距

【爱集微点评】京东方的LTPO专利，通过CMOS的工艺，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失以及异常显示的情况下，能够降低MOS管的数量，从而减少LTPO型移位寄存器电路的宽度，缩短屏幕边框。

集微网消息，近日，在世界移动通信大会（MWC 2023）上荣耀Magic5 Pro等系列的国际版发布，其采用了京东方LTPO等技术。

AMOLED显示器存在采用LTPS（Low Temperature Polysilicon，低温多晶硅）工艺时，漏电流会较大，从而导致在黑画面中出现亮点的问题，现有技术中采用LTPO（低温多晶硅及氧化物）工艺以降低漏电流，但LTPO工艺需要LTPO型移位寄存器提供控制栅极开关的信号，相关技术中的LTPO型移位寄存器电路由多个MOS管以及电容组成。但是相关技术中LTPO型移位寄存器电路中MOS管的数量较多，会导致屏幕边框较大的问题。

为此，京东方于2021年5月19日申请了一项名为“LTPO型移位寄存器电路及其驱动方法、显示面板”的发明专利（申请号：202110546404.0），申请人为京东方科技集团股份有限公司。

图1 LTPO型移位寄存器电路的示意图

图1为本专利提出的一种LTPO型移位寄存器电路的示意图，其中，STV、VGL、VGH分别表示行驱动时钟信号、关闭栅极的电压以及打开栅极的电压，而CK1至CK3则为三个时钟线路电压。在上述电路中，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，尽可能降低MOS管数量。

图2 LTPO型移位寄存器电路驱动时序示意图

图2为本专利提出的LTPO型移位寄存器电路驱动时序示意图，这里以几个含有跳变沿的时序周期为例进行说明。

T2时序周期中，STV为低电压信号，CK2为高电压信号，T1管子关闭，由于CK1电压信号出现高电压向低电压跳变，电容C1产生自举作用，将N4点为进一步拉低，N4点为低电压信号，T10管子完全打开，T3和T8管子打开，T2管子关闭，N1点为VGH高电压信号，T4管子关闭，CK1为低电压信号，T5、T6和T7管子打开，VGH高电压对电容C2充电，N2点为VGH的高电压信号，T9管子关闭，N3点的输出结果为L。

T3时序周期中，STV为高电压信号，CK2为低电压信号，T1管子打开，STV高电压信号给电容C1充电，N4点为高电压信号，T3、T8和T10管子关闭，T2管子打开，N1点为VGL低电压信号，T4管子打开，CK1为高电压信号，T5、T6和T7管子关闭，由于电容C2具有保持电压稳定的作用，N2点保持上一阶段的VGH高电压信号，T9管子关闭，N3点重复上一阶段的输出结果为L。

T6时序周期中，STV为低电压信号，CK2为高电压信号，T1管子关闭，由于CK1电压信号出现高电压向低电压跳变，电容C1产生自举作用，将N4点为进一步拉低，N4点为低电压信号，T10管子完全打开，T3和T8管子打开，T2管子关闭，N1点保持VGH高电压信号，T4管子关闭，CK1为低电压信号，T5、T6和T7管子打开，VGH高电压对电容C2充电，N2点为VGH的高电压信号，T9管子关闭，N3点的输出结果为L。

T7时序周期中，STV、CK2为低电压信号，T1管子打开，STV低电压信号给电容C1充电，N4点为低电压信号，T3、T8和T10管子打开，T2管子关闭，N1点为VGH高电压信号，T4管子关闭，CK1为高电压信号，T5、T6和T7管子关闭，由于电容C2具有保持电压稳定的作用，N2点保持上一阶段的VGH高电压信号，T9管子关闭，N3点的输出结果为L。

简而言之，京东方的LTPO专利，通过CMOS的工艺，采用N型MOS管与P型MOS管相结合的方式，在保证子像素正常发光、减少电压信号通过MOS管的损失以及异常显示的情况下，能够降低MOS管的数量，从而减少LTPO型移位寄存器电路的宽度，缩短屏幕边框。

京东方作为全球领先的显示面板及解决方案提供商之一，在LTPO显示面板技术上不断进行创新和突破，持续推动显示技术的创新和发展，为如荣耀等用户提供更优质的产品与解决方案，助力客户再创辉煌。

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（校对/赵月）