“锁死”存储芯片？美副部长：拟限制在华韩企制造能力
来源:芯片大师发布时间:2023-02-241424浏览
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导读：当地时间2月23日据韩联社和路透社消息，美国可能将限制三星、SK海力士等韩企在中国制造更先进的芯片。
图：美商务部副部长Alan Estevez
芯片大师曾报道消息：三星、SK海力士已获美国豁免，在华生产暂不受影响，自2022年10月12日起，在中国生产18纳米以下DRAM、128层以上NAND闪存、14纳米以下逻辑芯片生产设备的出口管制措施对所有企业生效，而三星和海力士两家公司取得为期一年的豁免期，可以继续进口相关设备。
目前距离豁免期还剩约7个月，针对豁免到期后的后续动作，负责工业和安全事务的美商务部副部长Alan Estevez 2月23日在华府智库战略与国际研究中心(CSIS) 主办的论坛中表示：“美方可能对韩企在中国的成长程度设限，那些公司会被要求停留于目前所处的堆叠层数，或其技术范围内某水平。”
也就是说，一旦该措施被执行，三星和SK海力士的在华晶圆厂有可能在2023年10月以后不但无法继续进口设备更新产线，也无法再生产更先进的存储芯片，包括更先进制程和更高Layer的DRAM和NAND芯片。
图：三星西安晶圆厂
Alan Estevez还表示：“我们处在技术驱动军力的世界......美方将与韩企合作，以确保这不会伤害盟友的公司，与此同时，我们将一同限制中国的能力。”
但在两位当事人三星和SK海力士看来，一旦管制落地，对盟友公司的“伤害”可能是致命的。
三星在西安设有生产两座NAND工厂（F1x1的一期和二期，约128/176层），合计月产能约25万片，无论制程和规模都算得上全球屈指可数（也许是第一）的NAND制造基地，其中40%产量供应中国市场。
SK海力士同样在无锡拥有两座月产能约18万片的大型DRAM晶圆厂（C2和C2F，12英寸约12/14nm工艺），加上正在收购的英特尔大连NAND晶圆厂（Fab68，用于制造12英寸VNAND），中国大陆是其在海外唯一的晶圆生产重地，同时SK海力士中国DRAM厂也有40%产能出售于本地市场。
图：SK海力士无锡晶圆厂
目前，三星和SK海力士都将中国作为最大、最先进的海外制造基地+单一市场，包括封测、代工等在内，韩国在华半导体企业也是外资中投入力度最大、创造效益最多的，这一点毋庸置疑。
如果限制落地，加上另外三家已经严重受影响的中国本土大型存储器企业，理论上两个可能的结果：一是存储器工艺暂时被“锁死”，中国大陆将在一段时期内失去先进存储器制造能力，二是部分在华外资企业的设施将被迫陆续转移至海外，这是存储器本身对先进制程的高度依赖决定的。
现实的角度来说，我们希望这一天晚一些到来，更希望到来的时候并不是毫无准备。
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