传美对中国技术管制范围将扩大到量子计算和AI;2022全球汽车电子分析师大会议程抢鲜看；集微时评:乘二十大东风 开半导体新局

集微网报道，半导体已成为国运之争的基础，代表着真正国家综合实力的较量，更是一场国家层面的隐形战争。

自十八大以来，中华民族伟大复兴进入了不可逆转的历史进程，中华民族迎来了从站起来、富起来到强起来的伟大飞跃。而我国半导体业在政策支持、市场拉动及资本推动等因素合力下，从2010年前后的起势，到2014年逐步升温，再到2019年之后的快速繁荣，迎来了非凡奋进的十年，在设计、制造、封装和测试领域均取得了长足的进步。

当历史走到新的节点，我国半导体业面临全新的机遇和挑战。一方面，5G、AI、物联网、自动驾驶、VR/AR等新一轮科技逐渐走向产业化，对全球半导体业形成新发展格局产生巨大带动效应；另一方面在国外制裁不断层层加码和宏观环境不确定性增加的背景下，加速进口替代、实现半导体产业自主可控已上升到国家战略高度。

放眼全球半导体业技术的跃迁、分工的塑造、格局的演变，国内半导体业已认识到，要发展世界一流的半导体产业，需要目光长远、有战略性规划的政策支持，需要鼓励创新、开放包容的机制体制，需要不断拓展前沿的一流高校、研究所，需要能够耐住寂寞沉下心搞研发的高端人才，更需要统一领导、统一规划、统一资源、统一协同，相互配套，形成合力与联动。

而最近发布的二十大报告，站在民族复兴和百年变局的制高点上，全面擘画了新时代新征程上全面建设社会主义现代化国家的新目标、新任务、新举措，明确了从当前到2035年再到本世纪中叶的发展蓝图。更令人振奋的是，报告中多处提到提纲挈领、鼓舞人心的政策和措施，将为我国半导体业的发展注入新活力、缔造新势能。

报告指出，我国一些关键核心技术实现突破，战略性新兴产业发展壮大，载人航天、探月探火、深海深地探测、超级计算机、卫星导航、量子信息、核电技术、大飞机制造、生物医药等取得重大成果，进入创新型国家行列。

对于创新，已由“建立以企业为主体、市场为导向、产学研深度融合的技术创新体系”变成“健全新型举国体制，强化国家战略科技力量……以国家战略需求为导向，集聚力量进行原创性引领性科技攻关，坚决打赢关键核心技术攻坚战……”。

习近平总书记曾多次强调掌握核心技术的重要性，并指出核心技术受制于人是最大的隐患，而核心技术靠化缘是要不来的，只有自力更生。科技自立自强是国家强盛之基、安全之要。必须完整、准确、全面贯彻新发展理念，深入实施创新驱动发展战略，把科技的命脉牢牢掌握在自己手中。

可以看出，我国在高科技领域的发展将会更加体现国家战略意志，未来的芯片产业，国有意志的力量将呈现更多的驱动力。

而要坚决打赢关键核心技术攻坚战，强调了突破“卡脖子”技术的决心。我国半导体业仍应加强原创性、引领性攻关，持续在卡脖子领域的EDA、IP、制造、设备和材料等领域协同作战、攻坚克难，唯有坚定不移走创新之路，才能在遏制与打压中顽强生长，闯出一片新天地。

特别是要重视“形成具有全球竞争力的开放创新生态”，创新生态的提法不同于单纯讲国际竞争，而是在充满竞争与合作的国际环境中，以我国特有的优势来构建具有竞争力的、利于创新的生态环境。这也提醒国内半导体业，尽管面对国外的重重封锁和打压，仍要保持开放合作的心态，仍要坚持合作共赢的思维，坚持不封闭、不对抗，坚持原创性、引领性，依照全球半导体业分工体系和发展规律才能行稳致远。

报告还指出，建设现代化产业体系，坚持把发展经济的着力点放在实体经济上，推进新型工业化，加快建设制造强国、质量强国、航天强国、交通强国、网络强国、数字中国。

芯片作为现代工业的心脏、信息技术的基石，无论是新型工业化，还是网络强国、数字中国，半导体在其中都扮演至关重要的角色。在新一轮科技和产业变革中，各种体现新材料、新技术、新工艺、新方案、新算法的新型芯片风起云涌，国内半导体业也要放眼天下，从GPU、CPU、FPGA、AI等高端芯片方面持续强芯，到模拟IC、射频器件、毫米波雷达、SiC等器件全面布局，再到代表未来发展前沿的第三代半导体、先进封装、Chiplet、量子计算等领域集中攻关。

令人倍感振奋的是，报告专门用一个部分来谋划“教育、科技、人才”的未来发展，指出“教育、科技、人才是全面建设社会主义现代化国家的基础性、战略性支撑”，首次集中强调了“三个第一”——科技是第一生产力、人才是第一资源、创新是第一动力，深入实施科教兴国战略、人才强国战略、创新驱动发展战略，开辟发展新领域新赛道，不断塑造发展新动能新优势。

半导体行业堪称人才密度最高的行业，行业的兴盛，依然离不开关键人才的带动。当前国内半导体业人才供给一定程度上面临结构性失衡问题，尤其是高端领军人才和创新型人才缺乏，为长远计，应加强基础科学、技术科学和工程技术的协同；加快构建新型复合型半导体人才培养机制；加快推进产学研用深度融合，积极出台面向国内外高端人才的优惠政策，全面助力国产半导体的快速发展。

从现在起，中国共产党的中心任务就是团结带领全国各族人民全面建成社会主义现代化强国、实现第二个百年奋斗目标，以中国式现代化全面推进中华民族伟大复兴。如果说一代人有一代人的使命与担当，那么该如何面对世界百年未有之大变局，面对代表着国运之战的半导体业，开创新局面、谱写新篇章？

当下，中美之间芯片产业链的脱钩之势已成事实，并且愈演愈烈。且面临行业下行、外部封锁、高端化受阻，我国芯片振兴进程遭遇重大的环境变化和严峻的考验。可以说，国产芯片崛起走到了最关键也是最艰难的历史时刻。这更要我们拿出“不破楼兰终不还”的勇气与担当，拿出“长风破浪会有时”的恒心和毅力，因为除了自力更生，我们别无选择。

3、传美国对中国技术管制范围将扩大到量子计算和AI

集微网消息，据彭博社报道，知情人士透露，美国政府正在探索出台新的出口管制措施的可能性，这些措施将限制中国获取一些最强大的新兴计算技术。

知情人士表示，这些尚处于早期阶段的潜在计划，主要集中在仍处于实验阶段的量子计算领域，以及人工智能软件。业内专家正在权衡如何设定这项新兴技术的限制参数。

该报道指出，美国已加大行动力度，以遏制中国开发某些技术的能力。美国认为这些技术是其与最大战略对手竞争的关键。本月早些时候发布的全面管制规定还限制了美国公民和居民参与中国科技公司的方式。

据悉，量子计算是一个实验性的领域，它有望极大地提高计算的能力和速度，使机器能够解决当前一代计算机无法解决的问题。此外，它也有望在某一天颠覆计算机安全技术，因为量子机器可能强大到足以解码密码并绕过加密安全功能。

知情人士称，美国政府官员们仍在决定如何对量子计算进行控制，这可能会集中在输出水平和纠错率上。

另一名知情人士表示，美国政府还在制定一项有关对外投资审查机制的行政命令，该机制将审查流向某些中国技术的资金，量子计算和人工智能可能包括在内。

4、【芯视野】意法半导体“三箭齐发”扩产，折射欧盟芯片自主“大战略”

集微网消息，意法半导体（STMicroelectronics）本月正式官宣其又一大扩产计划，将在意大利卡塔尼亚（Catania）投资7.3亿欧元建造一条6英寸碳化硅衬底生产线，预计于2023年投产。这也是意法半导体近期继意大利Agrate和法国Crolles的12英寸新线后，宣布的第三项重大扩产计划。

从几年前的“风雨飘摇”，到今天的“意气风发”，意法半导体走出了令人印象深刻的逆袭足迹，而其“三箭齐发”的扩产动作背后，还蕴含着欧洲半导体产业复兴的“大战略”。

意法半导体的“翻身仗”

意法半导体在碳化硅领域的垂直一体化动作已有“预告”，该公司技术、制造、质量及供应链总裁Orio Bellezza在今年的资本市场日上就对外透露，将进一步扩大在意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥的前端制造产能，其试验产线已经能够小批量供应6英寸、8英寸碳化硅衬底，新的内部生产设施将于2023年亮相。

（意法的目标是到2024年实现40%碳化硅衬底的内部供应）

早在2019年宣布完成对碳化硅衬底制造商Norstel的全面收购后，意法半导体从碳化硅器件向上游衬底片的垂直一体化延申就已经是一张“明牌”，此前意法半导体衬底片相当比例来自于Wolfspeed（原Cree），在供应上显然不及内部生产更具弹性，也不利于碳化硅器件的设计、材料、工艺协同优化，更重要的是，随着Wolfspeed等厂商向下游器件领域加大投入，在碳化硅器件市场市占率第一的意法半导体也有必要在供应链上“多留一手”。事实上，此次意法半导体公告中也明确提到，卡塔尼亚项目是为了实现“内部和商业供应方之间的碳化硅衬底供应平衡”。

在卡塔尼亚项目之外，意法半导体在意大利Agrate和法国Crolles布局的12英寸晶圆制造项目也正处于不同推进阶段，前者将与Tower合作建设，用于制造高端电源管理、混合信号、射频器件，而位于法国Crolles的项目则将与格芯（Global Foundries）进行深度合作，根据双方签署的谅解备忘录，Crolles新工厂将主要基于绝缘体上硅（FD-SOI）工艺平台，制程规划将覆盖至18纳米节点，工艺可能来自于三星技术授权，尤其值得注意的是，Orio Bellezza提供的演示资料中，意法半导体还将推出基于外部代工的FinFET和先进FD-SOI产品，FD-SOI先进制程节点被标注为10纳米，这或许代表着其战略合作伙伴格芯FDX工艺新的演进目标。

（演示资料中还标注了碳化硅器件向第四代、第五代的发展规划）

总体而言，“三箭齐发”的意法半导体，展现出在逻辑、模拟、功率半导体市场全线出击的进取势头，预计新项目建成达产后，公司12英寸晶圆产能将实现翻番，大幅提高公司产品交付能力，并进一步巩固其在碳化硅市场的竞争优势。

意法半导体今天的“意气风发”，体现出这家欧洲老牌半导体厂商的顽强生命力。短短几年前，意法还被外界目为“泥足巨人”，在手机芯片领域合并恩智浦业务、与爱立信合资等重注黯淡收场，后续冲击引发公司内部法、意两方股东关系紧张。未能搭上智能手机SoC大机遇的同时，随着IBM宣布收缩半导体制造业务，与其合作推进FD-SOI先进制程的意法也在制造技术发展上遭遇重挫，时任CEO Carlo Bozotti宣布不再投资开发1X纳米FD-SOI工艺，此举也宣告欧洲厂商退出了如火如荼的先进制程竞逐。在资本市场看来，此时的意法“缓慢而乏味”，在其竞争的大部分细分领域都是“长期的份额输家”，少有的亮点智能手机MEMS可能被苹果用新锐厂商替换，分立器件领域又面临中国厂商激烈的成本竞争，甚至有市场人士暗示，意法应当被谷歌收购，成为后者搭建半导体业务的“养料”。

然而随着法国人Jean-Marc Chery接任CEO，意法半导体在2018年后打出了漂亮的“翻身仗”，其ToF传感器等新产品巩固乃至扩大了在高端智能手机中配套份额，而特斯拉在Model 3主逆变器中选用意法半导体碳化硅MOSFET，也将公司送上了车用功率器件的“风口”。

意法复兴的“大棋局”

从目前布局看，在传统产品线之外，先进制程与宽禁带材料，是意法半导体未来两大投入重点。

首先来看先进制程，意法半导体此次重启向1X纳米工艺节点的进军，明确选择了FD-SOI技术路线为突破重点。而在与格芯的产能合作之前，今年4月份，意法、格芯、Soitec、CEA-Leti就已经宣布组成技术联盟，合作推进下一代FD-SOI技术路线图和产业生态系统培育，比肩Imec的研究机构CEA-Leti展望称，FD-SOI可以扩展至10纳米乃至更小工艺节点。

FD-SOI此前在与FinFET技术路线竞争中的失败，既有硅片成本过高等技术原因，也与推动这一技术发展的“Vendor”实力不足有相当大关系，此次FD-SOI技术迭代“重启”，则面对着更为有利的环境。一方面，FinFET在进入更低制程节点后，由于需要使用昂贵的EUV光刻设备，芯片制造成本大幅增加，相当程度上继承传统平面工艺，无需EUV的FD-SOI成本劣势缩小，另一方面，FD-SOI固有的漏电流性能优势，随着汽车、物联网和移动应用的勃兴得以进一步凸显。

其次再看宽禁带材料，在垂直一体化的同时，意法半导体碳化硅MOS管也已经发展到了第三代，并可能通过沟槽结构进一步提高性能表现，而在另一热门材料氮化镓（GaN）领域，意法半导体位于法国图尔斯（Tours）的8英寸工厂预计将于2023年投入规模量产，并正在推进集成GaN、BCD工艺GaN等特色技术开发。

值得特别强调的是，作为长期以来的欧洲芯片企业“一哥”，时至今日法意两国国有资本仍然在意法半导体享有大股东地位，今年7月法国总统马克龙亲自视察Crolles项目，并宣布向“10纳米技术节点”的研发资金支持，而卡塔尼亚碳化硅项目中，意大利政府同样为其申请了欧盟援助资金中2.925亿欧元的补贴，这样不同寻常的官方支持，使意法半导体近年来的布局方向，相当程度上也折射着欧洲半导体产业政策规划的思路。

以先进制程为例，在欧洲2030年半导体产业规划中，对于FD-SOI已经表达了明确兴趣。

欧盟委员会近期向欧盟理事会提交的《欧洲芯片法案》附件4（Annex 4）中，就专门针对FD-SOI与FinFET技术路线进行了详细分析，认为欧洲地区产业生态与技术基础，完全可以将FD-SOI推进至10纳米节点，与其后7纳米以下FinFET乃至GAA-FET工艺相衔接。

欧盟对FD-SOI的“执念”背后，是其芯片产业“自主可控”的诉求，FD-SOI的大规模产业化，意味着开辟一个与FinFET可以相区别的先进逻辑芯片制造生态，欧洲本土企业无疑将是最大的获益者，也将大大有助于提升供应链上欧洲本土配套的比例。尽管美国目前极力拉拢欧盟，英特尔也信誓旦旦将在其投资的德国工厂上马最先进的GAA-FET工艺，但欧洲对先进FD-SOI技术步步为营的布局，依然透露出其战略规划层面的“清醒”。

结语

重新“支棱”起来的意法半导体及其战略布局，为中国产业界也带来了有力的鼓舞和有益的镜鉴，对于后者而言，先进制程逻辑芯片制造面临着更为严峻的外部遏制压力，大陆产学研机构也有不少正在FD-SOI技术路线上默默耕耘，这条能够绕开EUV的“小路”，有必要得到更多企业更大力度的“平整”和“拓宽”。

而在宽禁带材料领域，与眼花缭乱数十上百个国内碳化硅、氮化镓项目相比，刚刚着手建设欧洲首个6英寸碳化硅衬底量产工厂的意法半导体，在市场上却有着强劲许多的竞争力，在宣发融资的“热闹”背后，新赛道如何商业落地，需要国内企业更多思考。

5、默克CEO：智能手机销量下滑不会对半导体化学品业务造成压力

集微网消息，默克集团首席执行官Belen Garijo表示，预计今年智能手机销量的下滑不会对其半导体化学品业务造成压力，并坚称市场仍然具有吸引力。

据路透社报道，在经济不确定性和生活成本危机的影响下，作为半导体市场最大推动力的手机销量预计今年将下降7.1%。Garijo指出，此前芯片严重短缺，默克的客户正在提高未来的产能，目前智能手机需求正在减弱。

“但我们相信这是一个暂时的影响。芯片应用于从汽车到数据存储等各个行业，这使该行业保持了吸引力。”Garijo补充说道。

据了解，默克是各种化学品、气体和材料的领先制造商，客户有英特尔、台积电和三星等全球芯片制造商。该公司已承诺在截至2025年的五年内投资超过30亿欧元，主要是为了抓住未来几年的投资热潮。

6、调查称半数印度用户计划年内购新手机，三星、苹果、一加是首选品牌

集微网报道 据Counterpoint研究的印度年度消费者智能手机研究，大约一半印度智能手机用户计划在一年内购买新手机。同时，印度市场手机的平均售价有望上涨，因为消费者倾向于每次购买新手机都选择更高的价格区间。

现有及未来计划选购品牌Top3（来源：Counterpoint）

手机品牌方面，三星、苹果和一加在调查受访者的首选品牌排行榜上名列前茅。手机功能方面，5G功能是下次选购时考虑的第三大最重要功能。

调查称，上述品牌受偏爱的主要原因是品牌声誉、高级功能和用户界面。由于这些因素，以及购买智能手机时倾向更高价格区间的意愿，用户倾向于选择高端智能手机品牌。

7、PC、手机需求疲软，台积电撤销7/6纳米新产线

集微网报道 台积电在2022年第三季度的投资人会议上承认，随着某些节点的利用率下降，库存逆风将打击其近期销售前景。这与该公司在全球半导体低迷时期推迟新产能建设的保守观点相呼应，包括因市场需求不确定而撤销22号厂房的新7/6纳米生产线。

在2022年第三季度之前，台积电的7/6纳米节点是其最大的收入组成部分，在2022年前三个季度贡献了近30%的收入。2022年上半年，台积电在7/6纳米上共拥有145-150 KWPM（千片每月）的装机容量，但将在2022年下半年调整一些设备工具的生产计划，部分考虑到智能手机和PC市场需求的恶化。

据Counterpoint分析，高性能计算相关产品（包括PC和服务器CPU、独立GPU、数据中心加速器和ASIC/FPGA）在台积电2022年7/6纳米产品中占38%，其次是智能手机相关（主要是AP/SoC）芯片组，占32%。联发科、AMD和高通可能是这一类别中的前三名客户。

回顾作为先进代工节点（10纳米及以下）主要应用的智能手机AP/SoC的库存水平，Counterpoint认为在终端市场（销售）数据减弱的情况下，从2022年下半年开始，芯片供应商的订单修正将面临更大压力。先进节点的芯片生产周期长达四个多月，导致智能手机AP/SoC、CPU/GPU和AI处理器的晶圆产量减少最早从2022年第四季度开始出现滞后效应。

不过，Counterpoint同意台积电的观点，即在2023年库存周期之后，7/6纳米节点将迎来新产品迁移的积极驱动因素，如Wi-Fi、RF和SSD控制器IC。