投资1021.5亿元！三星李在镕获赦后加码半导体技术研发

韩国政府8月12日公布了“光复节”特赦名单，三星电子副会长、三星集团掌门李在镕获得特赦和复权。

8月19日消息，在获得特赦之后，李在镕今天上午公开出席了在韩国京畿道龙仁市三星电子器兴（Giheung yeok）园区举行的次世代半导体研发园区动工仪式，并宣布将在2028年底之前对这座半导体技术研发园区投入20万亿韩元（约合人民币1021.5亿元），以研发次世代技术。

据悉，该研发园区占地约10.9万平方公尺，三星电子预计在此研发包括存储、系统半导体、晶圆代工等半导体相关核心技术。同时还将建一条预计在2025年中完工启用的半导体研发专用产线。

李在镕致词称，半导体产业不只本身市场规模大，对其他产业也会带来相当高的附加价值。40年前三星电子为建设半导体工厂，首次在器兴动工，“若没有这些对次世代、甚至次次世代产品果断的研发投资，就不会有今天的三星半导体”。

李在镕还表示，将延续三星电子重视技术、领先投资的传统，“让我们一起用尚未面世的技术创造未来”。

李在镕在动工仪式结束后，前往了华城园区与半导体相关员工会谈，直接听取建议，并在半导体研究所主持会议，讨论半导体产业当前主要面临困境与风险、次世代半导体技术研发进展，以及为大幅领先其他竞争者的技术能力确保方案等。

朝鲜日报报导指出，李在镕近期不断强调技术的重要性，尤其国际半导体产业竞争激烈，台积电不断领先发展技术，中国业者也紧追在后，让三星的技术研发需求更迫在眉睫。

李在镕6月访欧结束返回韩国时也曾强调发展技术的重要性，“（我们要做的）第一是技术、第二是技术、第三也是技术”。