微影与接合设备市场无惧市场寒风

尽管处在晶体管微缩面临物理极限，和供应链问题迟迟未能获得解决等的障碍下，但借着如2.5D与3D堆叠，以及混合和融合接合等越摩尔定律(MtM)技术的不断发展与应用，2021年全球包括微影、晶圆对晶圆(W2W)永久接合、晶粒对晶圆(D2W)混合接合，以及暂时接合在内的MtM领域微影与接合设备市场规模较2020年成长18%，达20亿美元。预估2027年这些半导体制造设备市场规模还会成长至28亿美元，合计2020～2027年市场规模年复合成长率(CAGR)为8%。

调研机构Yole Intelligence表示，2021年微影、W2W永久接合、D2W混合接合、暂时接合设备市场规模分别年增12%、29%、200%与34%。展望未来，在超微(AMD)、英特尔(Intel)、美光(Micron)、SK海力士(SK hynix)、三星电子 (Samsung Electronics)都已采用D2W混合接合相关技术的推动下，预估2020～2027年该技术设备市场规模会以CAGR 69%成长，并在2027年达2.32亿美元(占整体8%)。成长速度远高于其他设备。

混合和融合接合技术的快速发展也带动W2W永久接合设备市场的成长，预估2020～2027年市场规模会以CAGR 16%成长至5.07亿美元(占18%)。W2W技术主要应用于CMOS影像传感器、3D NAND存储器、人工智能(AI)处理器、微机电系统(MEMS)元件，和工程基板(engineered substrates)等的3D堆叠和整合上。

应用在存储器元件和化合物半导体扇出(FO)、薄化(thinning)和3D整合等先进封装制程中的暂时接合设备市场规模，会以相对温和的CAGR 7%成长，并于2027年达1.76亿美元(占6%)。

至于市场规模最高的微影设备，也会在先进封装产能扩张，以及i-line和深紫外线(DUV)步进器和扫描仪在MtM领域中的应用扩大推动下，以CAGR 5%成长。其中i-line步进器应用在扇出、晶圆级封装(WLP)、2.5D和3D 堆叠等先进封装技术中；扫描仪雷射直接成像则是应用在IC基板和扇出技术中。

随着半导体整合元件制造业者(IDM)、晶圆代工业者、委外封测代工业者(OSAT)纷纷扩大产能，预估2020～2027年基于MtM技术的功率元件、先进封装、光电元件、RF元件、微机电致动器与传感器、工程基板、CMOS影像传感器晶圆产能会依序以CAGR 4%、8%、6%、2%、8%、10%、9%幅度成长。

就业者而言，在微影设备方面，以Canon为领导业者，SML则是以些微市占差距紧追在后。在W2W永久接合设备方面，以益高科技(EVG)和东京威力科创(TEL)为前两大业者；这两大业者同样专注于CMOS影像传感器和3D整合与堆叠市场。在暂时接合方面，前两大业者依序为益高科技与休斯微技术(SUSS MicroTec)，其中休斯微技术正在获得存储器薄化市场的认可。

至于D2W混合接合所需要的晶粒黏结(die attach)或覆晶技术(flip-chip)设备则是来自贝思半导体(Besi)、芝浦(Shibaura)、Smart Equipment Technology(SET)、ASM Pacific等业者。其中贝思半导体虽然是市场新进业者，但已成为该市场领导业者。

此外，虽然目前大部分业者仅供应单类型设备，但也有小部分业者同时供应多类设备，如EVG、休斯微技术、上海微电子装备等业者就同时供应微影、W2W永久接合与暂时接合设备。

责任编辑：张兴民