UnitedSiC推出七款采用七引脚设计的新750V SiC FET

许多人选择“七”这个数字是因为它的“幸运”属性，而UnitedSiC选择它则当然是因为七个引脚非常适合D2PAK半导体封装。它比标准D2PAK-3L版本多了四个引脚，这造就了它的与众不同，它便于您采用灵活的设计选择，从而尽可能提高SiC FET的实际性能。一个引脚用于到源极的开尔文连接，避免负载电流与栅极驱动产生交互，一个引脚用于栅极，其他五个引脚并联到源极，以尽量减小电阻和引脚电感。

七是个吉祥数字，一周有七天，世界有七大奇迹，地球有七个大陆，葫芦娃有七兄弟，白雪公主有七个小矮人......

许多人选择“七”这个数字是因为它的“幸运”属性，而UnitedSiC选择它则当然是因为七个引脚非常适合D2PAK半导体封装。它比标准D2PAK-3L版本多了四个引脚，这造就了它的与众不同，它便于您采用灵活的设计选择，从而尽可能提高SiC FET的实际性能。一个引脚用于到源极的开尔文连接，避免负载电流与栅极驱动产生交互，一个引脚用于栅极，其他五个引脚并联到源极，以尽量减小电阻和引脚电感。

当然，D2PAK-7L的“首要”属性是厚度小和表面式安装，这使它非常适合以现代化自动组装技术安装到功率密集的交流转直流产品、直流转直流产品和逆变器中。以前的最终产品设计通常需要用到采用TO-247等封装的引脚器件，因为它们能够将热量传导至必不可少的外部散热片，同时具备在高压下使用的引脚分离属性。然而，这种设计也有缺点，它需要人工拧螺丝和螺母，还需要人工执行通孔焊接。现在，借助银烧结晶粒连接和先进的晶圆减薄技术，如果将UnitedSiC的新D2PAK-7L封装安装到PCB上或采用液冷的隔离金属基板上，它将具有具备出众的热性能。事实上，因为这些封装内的第四代750V SiC FET的损耗非常低，所以，通常，只需PCB垫就可以提供足够的散热，甚至在电池充电器和电动机等功率非常高的应用中也是如此。UnitedSiC提供的七个器件的导通电阻从60毫欧到9毫欧不等，适合各种应用和预算。没有什么竞争器件能与其相比，最接近的器件也仅仅达到11毫欧，请见图1。

【图1：UnitedSiC D2PAK-7L SiC FET RDS(on)与竞争产品对比】

D2PAK-7L封装的性能优于TO-247，且源极和漏极连接之间有更好的外部间隔，更方便进行PCB布局和遵守安全机构的漏电与间隙要求。更小的封装尺寸还能减小封装接合线的长度，这是一个重要优势，因为晶粒RDS(ON)和晶粒体积都在不断缩小。由于线接合处更短且鸥翼形引脚长度造成的环形更小，电感会降低，从而使碳化硅开关技术可能带来的快速di/dt速率导致的电压峰值降低。

UnitedSiC 750V SiC FET系列中引入的D2PAK-7L封装以其更小巧的外形、更高的成本效益和更低的损耗推开了新的性价比敏感型应用的大门。750V额定值产品提供的低电感、开尔文栅极连接和额外的电压裕度还能提高器件的坚固性。

UnitedSiC图片在线FET-Jet Calculator的库中包含D2PAK-7L器件，让您可以为您的应用选择最佳器件版本，并能立即读出所选转换拓扑和冷却布置的效率、组件损耗和结温上升。

因此，无论七是不是您的幸运数字，它都代表着SiC FET封装技术的一大进步。在您的下一款功率产品设计中试试它吧!