希荻微推出 2：1电荷泵直充IC为三星Galaxy A23手机供电

日前，在Insight Analytical Labs最新发布的Galaxy A23拆解报告中，希荻微的电荷泵直充芯片HL7132(WQN10)出现在三星手机Galaxy A23的主板上。HL7132通过将供电（PD）适配器的输入电流加倍，达到充电电流加倍的功能。借助HL7132，可以将供电（PD）适配器的3A电流充电至高达6A电流，从而将手机充电时间缩短50%，减少了用户的充电等待时间，提高用户体验。

HL7132是一款采用开关电容转换器架构和集成FET的低压(2:1)快速直充芯片，适用于1节锂离子和锂聚合物电池。经过优化，其可在电荷泵（CP）模式下实现50%占空比。在2:1电荷泵模式，HL7132的输出电压（VOUT）变为输入电压（VIN）的一半，输出电流（IOUT）变为输入电流（IIN）的2倍，从而降低了输入电源在充电线上的损耗，并控制了手机充电应用中的温升。

希荻微总经理David Nam表示：“希荻微是超级快充技术方面的领先企业，我们的相关技术已经从高端手机全面拓展到中端手机应用。希荻微的超级快充产品能够入选三星的高性能经济型Galaxy A23手机，我们对此感到很自豪。”